CVD管状炉には、多様な研究および産業ニーズに対応するための広範なカスタマイズ・オプションがあります。これには、正確なプリカーサー供給用のガス制御モジュール、低圧プロセス用の真空システム、最高1900℃の高温アプリケーション用の高度な温度制御システムなどが含まれます。炉は、六方晶窒化ホウ素（h-BN）膜やナノ材料など、特定の材料合成用にカスタマイズすることができ、APCVD、LPCVD、PECVDなど、さまざまなCVDタイプ用に構成することができます。リアルタイムモニタリングと自動化により再現性が保証され、TiNやSiCのような特殊コーティングがツールの耐久性を高めます。設計の柔軟性により、半導体、保護コーティング、その他の高度なアプリケーションに最適化できます。
キーポイントの説明
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ガスコントロールと真空システム
- カスタマイズ可能なガス供給モジュールは、プリカーサーの流量と混合物の正確な制御を可能にします。 化学蒸着リアクター .
- 低圧CVD(LPCVD)用に真空システムを統合し、膜の均一性を向上させ、コンタミを低減します。
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温度と雰囲気のカスタマイズ
- 炉は、高性能材料（セラミックやSiCコーティングなど）のために極端な温度（1900℃以上）で運転することができます。
- 制御された雰囲気（不活性、還元性、反応性）は、h-BN膜成長などの特定の反応に合わせて調整されます。
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CVDプロセスバリエーション
- APCVD（大気圧）、LPCVD、PECVD（プラズマエンハンスト）、またはMOCVD（有機金属前駆体）用に設定可能。
- 例PECVDモジュールは、高感度基板の低温成膜を可能にします。
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高度な制御と自動化
- リアルタイムモニタリングとプログラム可能な温度プロファイルが再現性を保証します。
- 自動ガス切り替えと圧力調整により、ナノ材料（ナノワイヤーなど）の合成を最適化します。
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材料固有の適応
- ライナーまたはコーティング（石英、アルミナなど）により、金属または窒化物の蒸着中の汚染を防止。
- 傾斜材料構造（h-BN基板上のグラフェンなど）用のマルチゾーン加熱。
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用途に応じた機能
- 産業用工具の保護コーティング（TiN、SiC）。
- 半導体製造におけるバッチ処理用のスケーラブルな設計。
これらのオプションにより、CVD管状炉は研究ラボや生産ラインに適応し、精度と汎用性のバランスを実現しています。
総括表
| カスタマイズ・オプション | 主な機能 | アプリケーション |
|---|---|---|
| ガス制御と真空システム | 正確なプリカーサー供給、低圧LPCVD | 均一成膜、コンタミ低減 |
| 温度と雰囲気 | 最高1900℃、不活性/反応性雰囲気 | 高性能セラミックス、h-BN膜 |
| CVDプロセスバリエーション | APCVD、LPCVD、PECVD、MOCVD | 低温蒸着、半導体製造 |
| 高度な制御と自動化 | リアルタイムモニタリング、プログラム可能なプロファイル | 再現可能なナノ材料合成 |
| 材料固有の適応 | 石英/アルミナライナー、マルチゾーン加熱 | 汚染のない金属蒸着、傾斜構造 |
| 用途に応じた機能 | 保護コーティング、スケーラブルデザイン | 産業機器、バッチ処理 |
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