
CVD & PECVD Furnace
カスタムメイド万能CVD管状炉化学蒸着CVD装置マシン
商品番号 : KT-CTF16
価格は以下に基づいて変動します 仕様とカスタマイズ
- 最高温度
- 1600℃
- 温度制御精度
- ±1℃
- 真空圧(高真空オプション)
- 6×10-5Pa

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KINTEKの先進的CVD管状炉:高精度、多用途、カスタマイズ
KINTEKは、卓越した研究開発と自社製造により、さまざまな研究所や産業界のお客様に先進的な高温炉ソリューションを提供しています。マッフル炉、管状炉、回転炉、真空炉、雰囲気炉、特殊CVD/PECVD/MPCVDシステムなどの幅広い製品ラインは、強力なカスタマイズ能力によって支えられています。当社は、お客様独自の実験および生産要件に的確に対応することをお約束します。
製品概要高性能CVD管状炉
KINTEK Chemical Vapor Deposition (CVD) Tube Furnaceは、温度、雰囲気、ガス流の精密な制御が要求されるプロセス用に綿密に設計されています。絶縁材料、金属材料、金属合金材料など、研究用途や産業用途に不可欠なさまざまな材料の高品質薄膜の成膜に最適です。当社のCVD炉は通常、優れた温度均一性を実現する複数の加熱ゾーン、堅牢な真空システム、正確な前駆体供給のための高度なマスフローガス制御ステーションを備えています。構成によっては、最高温度1600℃(KT-CTF16-60モデル)、真空度6x10 -5 Paの高真空オプションがあります。
主な利点と特徴
当社のCVD管状炉は、お客様の重要なプロセスに卓越した性能と信頼性を提供するよう設計されています:
- 正確な温度制御と均一性 マルチゾーン加熱(例:KT-CTF16-60の3x300mm)と高度なPIDコントローラー(精度±1℃)により、安定した均一な温度プロファイルを実現。
- 多彩な高温動作: 高温に達することができ(例えば、KT-CTF16-60の場合、最高1600℃の恒温1550℃)、さまざまなCVDプロセスや材料合成に適しています。
- 高度なガス管理: マルチチャンネルマスフローコントローラー(MFC)システムは、高い直線性(±0.5%F.S.)と再現性(±0.2%F.S.)で、反応ガスの正確な混合と供給を可能にします。
- 柔軟な真空と雰囲気能力: システムは、標準的なロータリーベーンポンプ(例:10Pa)から高真空分子ポンプステーション(例:6x10 -5 Pa)、または制御された不活性/反応性雰囲気下で動作します。
- 耐久性のある構造: 高純度ファーネスチューブ(例:Al 2 O 3 )と高品質のチャンバー材料(アルミナ多結晶ファイバーなど)を使用し、長寿命とプロセスの完全性を実現。
- ユーザーフレンドリーなインターフェース: デジタルPIDコントローラーまたはタッチスクリーンPIDコントローラーのオプションは、直感的な操作、データロギング、簡単なセットアップを提供します。
- カスタマイズ可能な設計: チューブの直径や加熱ゾーンの長さから、ガスチャンネルや真空コンポーネントまで、お客様のニーズに合わせてカスタマイズできます。
- コンパクトで効率的: 性能に妥協することなくスペース効率に優れた設計で、さまざまな研究室や産業環境に適しています。
技術仕様(例:モデルKT-CTF16-60)
以下の仕様はKT-CTF16-60のものです。仕様はお客様のご要望に応じてカスタマイズ可能です。
炉型 | KT-CTF16-60 |
---|---|
最高温度 | 1600℃ |
一定作業温度 | 1550℃ |
炉管材質 | 高純度Al2O3管 |
炉管の直径 | 60mm |
加熱ゾーン | 3x300mm |
チャンバー材質 | アルミナ多結晶ファイバー |
発熱体 | 炭化ケイ素 |
加熱速度 | 0~10℃/分 |
熱電対 | Sタイプ |
温度コントローラー | デジタルPIDコントローラー/タッチスクリーンPIDコントローラー |
温度制御の正確さ | ±1℃ |
ガス精密制御ユニット | |
流量計 | MFCマスフローメーター |
ガスチャンネル | 3チャンネル(カスタマイズ可能) |
流量(例) |
MFC1: 0-5SCCM O2
MFC2: 0-20SCCM CH4 MFC3: 0~100SCCM H2 MFC4:0〜500SCCM N2(カスタマイズ可能) |
直線性 | ±0.5% F.S. |
繰り返し性 | ±0.2% F.S. |
配管およびバルブ | ステンレス鋼 |
最高使用圧力 | 0.45MPa |
流量計コントローラー | デジタルノブコントローラー/タッチスクリーンコントローラー |
標準真空ユニット(オプション) | |
真空ポンプ | ロータリーベーン真空ポンプ |
ポンプ流量 | 4L/S |
真空吸引ポート | KF25 |
真空計 | ピラニ/抵抗シリコン真空計 |
定格真空圧 | 10Pa |
高真空ユニット(オプション) | |
真空ポンプ | ロータリーベーンポンプ+分子ポンプ |
ポンプ流量 | 4L/S+110L/S |
真空吸引ポート | KF25 |
真空計 | 複合真空計 |
定格真空圧 | 6x10-5Pa |
上記仕様およびセットアップはカスタマイズ可能です。 |
カスタマイズ可能なCVDシステム構成
KINTEK では、お客様の研究または生産のニーズに合わせて CVD 炉システムをカスタマイズすることを専門としています。カスタマイズ可能なセットアップの例をご覧ください:





動作原理
化学気相成長法(CVD)は、加熱された基板上に気体の反応物質から固体材料を形成する多用途の薄膜形成技術です。KINTEK CVD管状炉では、基板は高純度の管(通常は石英またはアルミナ)の中に置かれ、正確に制御された温度に加熱されます。慎重に計量された前駆体ガスの混合物が、マスフロー制御システムを介して管内に導入されます。これらのガスは、高温の基板表面またはその近傍で反応または分解し、目的の薄膜が成膜される。主な操作面は以下の通り:
- 高温環境: 炉は化学反応に必要な安定した高温ゾーンを形成する。
- 制御されたガスフロー: マスフローコントローラー(MFC)により、プリカーサーガスおよびキャリアガスの正確で再現性のある供給が保証される。
- 真空または制御された雰囲気: 真空システムは、不要な汚染物質や副生成物を除去し、または制御された雰囲気(不活性または反応性)を維持して成膜化学に影響を与えることができます。システムによっては、高周波(RF)グロー放電やその他のプラズマ増強技術を採用して、低温蒸着や高蒸着速度を実現することができます。
- 均一な成膜: 加熱ゾーンとガスフローダイナミクスの入念な設計により、基板全体で均一な膜厚と組成を促進します。
このプロセスは、半導体、太陽電池、保護膜、ナノ材料、その他の高度な電子・光学デバイスの製造に広く使用されています。
幅広いアプリケーション
KINTEKマルチゾーンCVD管状炉は、さまざまな研究および産業分野で不可欠なツールです:
- ナノ材料の合成: ナノ材料合成:ナノワイヤー、ナノチューブ(カーボンナノチューブなど)の成長、先端材料開発のためのナノフィルムの調製に最適です。
- 先端コーティング技術: 金属膜、セラミック膜(酸化物、窒化物、炭化物)、複合膜を成膜し、硬度、耐食性、導電性などの表面特性を向上させるために広く利用されている。
- 半導体およびエレクトロニクス: 集積回路、センサー、その他の電子部品の製造における絶縁層、半導体層、導電層の成膜に不可欠。
- 電池材料加工: 高性能エネルギー貯蔵デバイス用の電池材料の乾燥、焼結、表面改質に適している。
- 高温焼結とアニール: 高温雰囲気焼結、雰囲気還元、アニール処理により、材料の高密度化、高特性化を実現します。
- 真空&雰囲気コーティング: 高い真空性能により、コーティングの純度と品質が最も重要な用途に最適です。
- 研究開発 大学や科学研究機関において、CVD/CVI(化学気相浸透法)実験を含む材料科学の基礎研究に広く使用されています。
- プラズマエンハンストプロセス: プラズマエンハンスドCVD(PECVD)、プラズマクリーニング、エッチングに対応可能で、機能的な汎用性が広がります。
標準パッケージ(KT-CTF16-60の例)
No. | 内容 | 数量 |
---|---|---|
1 | 温度制御付き炉本体 | 1 |
2 | 高純度アルミナまたは石英管(注文による) | 1 |
3 | ポート付き真空シールフランジ | 2セット |
4 | チューブサーマルブロック/プラグ | 2 |
5 | チューブサーマルブロックフック | 1 |
6 | 耐熱グローブ | 1組 |
7 | 精密ガス制御ユニット(注文に応じてMFC) | 1セット |
8 | 真空ユニット(ポンプとゲージは注文による) | 1セット |
9 | 取扱説明書 | 1 |
オプションのセットアップとカスタマイズ
特定の実験ニーズを満たすさまざまなオプション機能により、CVD システムを強化できます:
- 管内ガス検知およびモニタリングシステム(H2、O2 など)。
- 独立したファーネス温度モニタリングおよびデータ記録モジュール
- PCからの遠隔操作やデータ出力用のRS 485通信ポート
- マスフローメーターとフロートフローメーターの異なるレンジを含む、多様なガス供給流量制御オプション
- 多機能でオペレーターフレンドリーなタッチスクリーン温度コントローラー(プログラマブルランプ、データロギングなど)
- ベーン真空ポンプ、分子ポンプ、拡散ポンプなどのオプションを組み込んだ、アップグレードされた高真空ポンプステーションのセットアップ。
- 液体/固体プリカーサー供給システム(例:バブラー、気化器)。
- 排気ガス除去システム
CVDソリューションならKINTEKにお任せください。
最先端のCVD管状炉で、研究または工業プロセスを向上させる準備はできていますか?KINTEKチームは、高温技術とカスタマイズの専門知識に裏打ちされた、お客様のアプリケーション要件に完璧に適合するシステムを提供することに専念しています。
お問い合わせ にお問い合わせください。お客様の材料成膜において比類のない結果を達成するお手伝いをいたします。
FAQ
管状炉とは何ですか?
マルチゾーン管状炉の主な用途は?
CVD装置の原理は?
縦型管状炉とは
真空誘導炉とは
真空炉の主な用途は?
PECVD装置は何に使用されますか?
雰囲気炉の用途は?
管状炉の主な用途は?
マルチゾーン管状炉の主な特徴は?
CVD装置を使用する利点は何ですか?
竪型管状炉の用途は?
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真空炉の主な特徴は?
PECVD装置の主な種類は?
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管状炉を使用する利点は?
マルチゾーン管状炉の仕組み
CVD装置の用途は?
縦型管状炉の利点は?
真空誘導炉の仕組み
真空炉の仕組み
PECVD装置の仕組み
雰囲気炉の仕組み
管状炉にはどのようなタイプがありますか?
マルチゾーン管状炉を使用する利点は何ですか?
CVD装置の主な特徴は?
竪型管状炉の仕組み
真空誘導炉を使用する利点は何ですか?
真空炉を使用する利点は?
PECVD装置の主な特徴は何ですか?
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管状炉はどのような温度範囲を達成できますか?
マルチゾーン管状炉にはどのようなタイプがありますか?
どのようなタイプのCVD装置がありますか?
どのようなタイプの縦型管状炉がありますか?
真空誘導炉にはどのようなタイプがありますか?
真空炉で処理できる材料の種類は?
PECVD装置を使用する利点は何ですか?
雰囲気炉で使用できるガスの種類は?
管状炉は異なる雰囲気下で運転できますか?
横型管状炉ではなく縦型管状炉を選ぶ理由
なぜ真空誘導炉では温度制御が重要なのですか?
ホットウォール式真空炉とコールドウォール式真空炉の違いは何ですか?
PECVD装置で成膜できる材料は?
高度な雰囲気炉にはどのような安全機能がありますか?
KINTEK管状炉の特徴は?
縦型管状炉はどのような温度範囲を達成できますか?
真空誘導炉で処理できる材料は?
真空炉は特定の用途に合わせてカスタマイズできますか?
なぜPECVDが他の成膜方法よりも好まれるのですか?
縦型管状炉はカスタマイズ可能ですか?
真空環境は材料加工にどのようなメリットをもたらしますか?
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