製品 High Temperature Furnaces CVD & PECVD Furnace 液体気化器付きスライド式PECVD管状炉(PECVD装置)
液体気化器付きスライド式PECVD管状炉(PECVD装置)

CVD & PECVD Furnace

液体気化器付きスライド式PECVD管状炉(PECVD装置)

商品番号 : KT-PE12

価格は以下に基づいて変動します 仕様とカスタマイズ


最高温度
1200℃
RFプラズマ出力電力
5-500W
定格真空圧
10Pa~6x10-4Pa
ISO & CE icon

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精密な薄膜堆積を実現

液体気化器を備えたKINTEKスライド式PECVD管状炉は、多用途で高性能な薄膜堆積のために設計された最先端のシステムです。現代の研究および生産の厳しい要求を満たすよう設計されており、500WのRFプラズマ源、高速熱サイクルのための革新的なスライド式電気炉、精密なガス流量制御、および堅牢な真空ステーションを組み合わせています。エレクトロニクス、半導体、光学、または先端材料科学のいずれにおいても、このシステムは卓越した結果と信頼性を提供します。KINTEKでは、優れた研究開発の専門知識と自社製造を活かして、このような高度な電気炉ソリューションを提供し、お客様の独自の実験要件を正確に満たすための強力なディープカスタマイズを提供しています。

主な特徴と利点

液体気化器付きスライド式PECVD管状炉(PECVD装置)は、研究と生産を強化するための数多くの利点を提供します:

  • 強化された発電能力: 革新的なグラファイトボート構造により、太陽電池ウェーハの出力電力が大幅に向上します。
  • 均一なセル品質: 管状PECVDセルの色の違いを効果的に排除し、一貫した結果を保証します。
  • 多用途なRFプラズマ源: 幅広い出力範囲(5〜500W)を備えた自動マッチングRFプラズマ源を搭載し、さまざまなアプリケーションで安定した適応性能を発揮します。
  • 高速熱サイクル: 炉体スライドシステムにより、高速な加熱と冷却が可能になり、処理時間を大幅に短縮します。補助強制空冷により、冷却速度がさらに加速されます。
  • 自動運転: オプションの自動スライド移動により、効率が向上し、手動介入が減少してワークフローが合理化されます。
  • 精密な温度管理: PIDプログラム可能な温度制御により、正確な温度調節を保証します。利便性と運用の柔軟性を高めるため、リモート制御および集中制御をサポートしています。
  • 正確なガス制御: 高精度のMFC(質量流量計)がソースガスを正確に制御し、安定した一貫性のある予混合ガスの供給を保証します。
  • 高性能真空システム: 複数のアダプティングポートを備えたステンレス製真空フランジは、さまざまな真空ポンプステーション構成に対応し、高い真空度と信頼性の高いシーリングを保証します。
  • ユーザーフレンドリーなインターフェース: CTF Pro 7インチTFTタッチスクリーンコントローラーを搭載し、プログラム設定や操作を簡素化し、履歴データの簡単な分析を可能にします。

幅広い用途

液体気化器付きスライド式PECVD管状炉(PECVD装置)は、以下を含む幅広い用途に最適です:

  • 化学気相成長(CVD)
  • プラズマ励起化学気相成長(PECVD)
  • 各種材料の薄膜堆積
  • 太陽電池の製造と研究
  • 半導体プロセス
  • ナノテクノロジーの研究開発
  • 先端材料科学の研究
  • 制御された雰囲気下での一般的な研究開発

システム構成の探索

KINTEKは、多様な実験ニーズを満たすためにさまざまなCVDシステムセットアップを提供しています。以下は利用可能な構成の例です:

PECVD front

PECVD side

PECVD side

動作原理

液体気化器付きスライド式PECVD管状炉(PECVD装置)は、低温プラズマを採用してプロセスチャンバーのカソード(試料トレイ)にグロー放電を発生させます。グロー放電(または別の熱源)によって試料の温度が所定のレベルまで上昇します。その後、制御された量のプロセスガスが導入され、化学反応とプラズマ反応を経て、試料の表面に固体膜が形成されます。

内蔵された安全性の利点

  • 過電流および過昇温保護: 炉には過電流保護および過昇温アラーム機能が装備されており、制限を超えた場合は自動的に電源を遮断します。
  • 熱電対故障検出: 熱電対検出機能が内蔵されており、熱電対の断線や故障が検出されると加熱を停止してアラームを鳴らし、制御不能な加熱を防止します。
  • 停電復帰機能: PE Proコントローラーは停電復帰機能をサポートしており、停電後に電力が復旧すると、自動的に加熱プログラムを再開できます。

技術仕様

炉モデル KT-PE12-60
最高温度 1200℃
常用温度 1100℃
炉心管材質 高純度石英
炉心管径 60mm
加熱ゾーン長 1x450mm
チャンバー材質 日本製アルミナファイバー
加熱エレメント Cr2Al2Mo2 ワイヤーコイル
昇温速度 0-20℃/min
熱電対 内蔵Kタイプ
温度コントローラー デジタルPIDコントローラー/タッチスクリーンPIDコントローラー
温度制御精度 ±1℃
スライド距離 600mm
RFプラズマユニット
出力電力 5 -500W(±1%の安定性で調整可能)
RF周波数 13.56 MHz ±0.005%の安定性
反射電力 最大350W
マッチング 自動
ノイズ
冷却 空冷
ガス精密制御ユニット
流量計 MFC(質量流量計)
ガスチャンネル 4チャンネル
流量 MFC1: 0-5SCCM O2
MFC2: 0-20SCM CH4
MFC3: 0-100SCCM H2
MFC4: 0-500 SCCM N2
直線性 ±0.5% F.S.
再現性 ±0.2% F.S.
配管およびバルブ ステンレス鋼
最大動作圧力 0.45MPa
流量計コントローラー デジタルノブコントローラー/タッチスクリーンコントローラー
標準真空ユニット(オプション)
真空ポンプ ロータリーベーン真空ポンプ
ポンプ排気速度 4L/S
真空吸引ポート KF25
真空計 ピラニ/抵抗シリコン真空計
定格真空圧 10Pa
高真空ユニット(オプション)
真空ポンプ ロータリーベーンポンプ + 分子ポンプ
ポンプ排気速度 4L/S + 110L/S
真空吸引ポート KF25
真空計 複合真空計
定格真空圧 6x10-4Pa
上記の仕様およびセットアップはカスタマイズ可能です

標準パッケージ内容

No. 説明 数量
1 電気炉本体 1
2 石英管 1
3 真空フランジ 2
4 管用断熱ブロック 2
5 断熱ブロック用フック 1
6 耐熱手袋 1
7 RFプラズマ源 1
8 精密ガス制御ユニット 1
9 真空ユニット 1
10 取扱説明書 1

カスタマイズとオプション設定

KINTEKでは、強力なディープカスタマイズ能力に誇りを持っています。スライド式PECVD管状炉を、お客様の独自の実験要件に合わせて正確に調整できます。利用可能なオプション設定には以下が含まれます:

  • 管内ガス検出およびモニタリング(例:H2、O2)
  • 独立した炉内温度モニタリングおよび記録システム
  • PCリモート制御およびデータエクスポート用のRS 485通信ポート
  • カスタマイズされたガス供給流量制御(質量流量計またはフロート流量計)
  • 多用途で操作しやすい機能を備えた高度なタッチスクリーン温度コントローラー
  • さまざまな高真空ポンプステーション設定(例:ベーン真空ポンプ、分子ポンプ、拡散ポンプ)

高度な電気炉のニーズはKINTEKにお任せください

KINTEKのスライド式PECVD管状炉は、適応性と高性能を追求して設計されています。私たちは、お客様の研究が唯一無二であることを理解しています。当社の強力なディープカスタマイズ能力を活用して、このシステムを正確な仕様に合わせて調整してください。異なる温度範囲、特定のガス構成、高度な制御機能、または独自の真空セットアップが必要な場合でも、当社の専門チームがサポートいたします。

研究や生産を次のレベルへ引き上げる準備はできていますか?当社の専門家にご要望を相談し、パーソナライズされた見積もりを入手してください。 お問い合わせフォームにご記入いただければ、専門スタッフがすぐに最適なPECVDソリューションの構成をお手伝いいたします。

業界リーダーからの信頼

提携クライアント

FAQ

MPCVD装置の原理は?

MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) 装置は、マイクロ波発生装置を使って混合ガスをイオン化し、プラズマを生成する。このプラズマは、低圧下の反応チャンバーに収容され、基板は基板ホルダーで固定されます。主なコンポーネントは、マイクロ波発生装置、プラズマチャンバー、ガス供給システム、基板ホルダー、真空システムです。

管状炉とは何ですか?

管状炉は、熱源を通して熱を発生させ、その熱を炉管を通してワークまたは媒体に伝える加熱装置です。様々な工業用途に適した安定した均一加熱を実現します。温度制御システムは熱電対やその他のセンサーで炉の温度を監視し、その信号を制御装置にフィードバックして発熱体の出力を調整し、正確な温度制御を維持します。

マルチゾーン管状炉の主な用途は?

マルチゾーン管状炉は、半導体・電池製造、熱電対・鉱物絶縁ケーブル製造、真空ロウ付け・熱処理、真空硬化・焼結、水・廃棄物・土壌試験、航空宇宙セラミック・金属試験、石油・ガス分析、固体酸化物燃料電池、高分子複合材料・グラフェン製造など、様々な商業・研究用途で使用されています。また、金属の熱処理(焼き入れ、焼き戻し、焼きなまし)、溶接の予熱、セラミック/粉末冶金の焼結、コーティング処理、材料研究実験などにも使用されています。

CVD装置の原理は?

化学気相成長法(CVD)の原理は、膜成分やその他の必要なガスを含む気体または液体の反応物の蒸気を反応室に導入することである。温度上昇、プラズマ作用、光放射などのエネルギーを加えることで、基板表面で化学反応が起こり、新しい固体物質が生成され、薄膜として堆積する。CVD炉の動作原理は、炉室内に前駆体ガスを導入し、高温によってこれらのガスを基板表面付近で反応または分解させることである。目的の材料は固体膜として基板上に堆積し、副生成物や未使用のガスは排気または真空システムを通して排出されます。

分割管炉の一般的な用途は?

分割管炉は一般的に、材料試験 (引張試験など)、有機材料の熱分解、薄膜堆積のための化学蒸着 (CVD)、炭素含有材料の黒鉛化、セラミックの焼結などに使用されます。これらの用途では、分割管炉が提供する精密な温度制御と容易な試料ハンドリングが役立ちます。

縦型管状炉とは

縦型管状炉は垂直方向に設計された高温加熱装置で、正確な温度制御、均一な加熱、効率的なエネルギー使用を実現します。その縦型設計は省スペースで、特に縦型設置が有利なプロセスに役立ちます。

MPCVD装置を使用する利点は何ですか?

MPCVD装置にはいくつかの利点があります。ホットワイヤー(無極性放電)による汚染がなく、複数のガスを使用でき、反応温度を安定的に制御でき、大面積の安定した放電プラズマが可能で、膜厚、純度、結晶品質を正確に制御できます。さらに、大面積のダイヤモンド膜を生成し、安定した条件を確保し、安定した試料品質を維持し、費用対効果に優れています。

管状炉の主な用途は?

管状炉は真空または大気条件下でのガス急冷試験、合成や精製を含む熱処理用途、無機または有機化合物の酸化、拡散、脱炭酸、熱アニールなどに広く使用されています。また、加熱・冷却速度の制御が必要な材料試験、熱処理、化学反応にも使用されます。縦型管状炉は、試料を炉の上部から投入するプロセスに特に適しています。

マルチゾーン管状炉の主な特徴は?

主な特徴は以下の通りです:1) 柔軟なアニーリングおよび化学蒸着機能、2) 最大60mm (2インチ) までの試料の収容、3) ガス供給が容易な内蔵マニホールド、4) 端部が低温で中央部が均一加熱の自然な温度勾配、5) 様々なガスまたは真空条件への適応性、6) 正確な温度プロファイルのための複数の独立制御加熱ゾーン。

CVD装置を使用する利点は何ですか?

CVDは、高い純度、均一性、適合性を提供するため、複雑な形状のコーティングに適しています。半導体、航空宇宙、生物医学などの産業で使用されています。PVDとは異なり、CVDは直視下での塗布に限定されず、反応中にコーティングが表面に結合するため、優れた密着性が得られます。

スプリット管炉の主な特徴は?

分割式管状炉は通常、1、2、3、または 5 加熱ゾーンから選択でき、加熱長さは 200 ~ 600 mm、加熱直径は 40 ~ 100 mm です。安全なケース温度を確保するために二重の強制空冷が装備され、加熱源として最高1200℃に達する加熱コイルが使用されます。炉は円筒管を縦に分割して設計され、多くの場合、ヒンジで結合された2つの半分に分割され、スムーズな動作のために空圧ダンパー支柱が装備されています。

竪型管状炉の用途は?

縦型管状炉は、加熱・冷却速度の制御を必要とする材料試験、熱処理、化学反応に広く使用されています。また化学工学では合成樹脂、ゴム、塗料、染料の製造に、食品工業では焼成、乾燥、殺菌に、冶金では製錬、溶解、熱処理プロセスに使用されます。

MPCVD装置の主な用途は?

MPCVD装置は、主にダイヤモンド膜やその他の先端材料を含む、高純度ラボグロウンダイヤモンド合成に使用されます。その用途は、精密な制御により高品質で均質な膜を製造できることから、半導体研究、光学、MEMS(微小電気機械システム)にまで及びます。

管状炉を使用する利点は?

管状炉には、成熟した技術、シンプルな炉構造、低い消費電力、高い熱効率、容易な操作と制御、連続生産能力、精密な温度制御、均一な温度分布、異なる雰囲気への適応性などの利点があります。また、製品の歩留まりが高く、製品濃度が高く、分解ガスや排ガスをほとんど回収できる。複数の炉を組み合わせて大規模生産も可能です。

マルチゾーン管状炉の仕組み

マルチゾーン管状炉の機能1) 独立制御された複数の発熱体を通して熱を発生させ、2) この熱を炉管を通してワークピースに均一に伝達し、3) 正確な温度勾配 (CVD 膜成長のようなプロセスの場合) または拡張された恒温ゾーン (複数のゾーンを同じ温度に設定した場合) を形成し、4) 様々な工業プロセスに適した安定した加熱条件を維持します。

CVD装置の用途は?

CVDは、半導体デバイスの製造(窒化ケイ素絶縁層など)、光学コーティング、保護コーティング、独自の電気的、熱的、機械的特性を持つグラフェンやカーボンナノチューブのような先端材料など、さまざまな用途で使用されています。また、従来の技術では不可能だったコンフォーマル膜の成膜や基板表面の改質にも使用される。原子層蒸着、集積回路、光起電力デバイス、耐摩耗性コーティング、特殊特性を持つポリマーコーティング、ガス検知用有機金属骨格、水処理用膜コーティングなどの用途がある。

スプリット管炉の仕組み

スプリット管炉は加熱コイルを通して熱を発生させ、その熱を炉管内のワークまたは媒体に伝えます。このプロセスにより安定した均一加熱が保証されるため、様々な工業用途や実験用途に適しています。炉は複数の加熱ゾーンを設定でき、安全な外部温度を維持するための強制空冷などの機能も備えています。

縦型管状炉の利点は?

竪型管状炉は横型炉に比べて設置面積が小さいため、スペースの限られた研究室に最適です。また、効率的で省エネルギーな運転、精密な温度制御、柔軟な使用方法、操作の容易さ、安全性、信頼性、環境基準への適合も実現します。

MPCVD装置の主なコンポーネントは何ですか?

MPCVD装置の主な構成要素には、マイクロ波発生装置(プラズマを発生させる)、反応チャンバー(低圧下で基板と混合ガスを収容する)、基板ホルダー(成膜中に基板を保持する)、ガス供給システム(混合ガスを導入・制御する)、真空システム(必要な低圧環境を維持する)などがあります。

管状炉にはどのようなタイプがありますか?

管状炉には、ラボ用石英管状炉、分割型マルチヒーティングゾーン回転式管状炉、マルチゾーン管状炉、高温管状炉(最高1700℃)、薄膜蒸着用PECVD管状炉、真空管状炉、縦型管状炉など、さまざまなタイプがあります。これらには、急速加熱、傾斜調整、360°回転、カスタマイズ可能な加熱ゾーン、真空対応など、さまざまな用途に適した機能が装備されています。

マルチゾーン管状炉を使用する利点は何ですか?

利点は以下の通りです:1)シンプルな炉構造による成熟した信頼性の高い技術、2)高い熱効率による低消費電力、3)容易な操作と精密な制御、4)連続生産能力、5)均一加熱ゾーンの拡大または精密な温度勾配の形成能力、6)化学プロセスにおける製品収率の向上、7)プロセスガスの回収能力、8)幅広い原料適用性、9) 炉の組み合わせによる大規模生産への拡張性。

CVD装置の主な特徴は?

CVD炉の主な特徴には、高温能力(通常200℃から1500℃以上)、精密なガス流量制御、雰囲気制御(真空、大気圧、低圧環境)、均一な薄膜成膜のための均一加熱、副生成物や未反応ガスを除去する効率的な排気システムなどがあります。CVDコーティングプロセスの主な特徴として、反応を促進するための高温での塗布があり、通常は真空下で行われる。コーティング前に、部品表面から汚染物質を除去する必要があります。

分割型管状炉を使用する利点は何ですか?

スプリット管状炉の主な利点には、試料や機器の搬出入の簡素化、操業停止時間の短縮、効率の向上などが挙げられます。スプリット式は炉室への素早いアクセスを可能にし、頻繁な交換や複雑な実験設定を必要とする用途に特に有益です。さらに、空圧ダンパー支柱や複数の加熱ゾーンなどの機能により、使いやすさと性能がさらに向上します。

竪型管状炉の仕組み

縦型管状炉は熱源から熱を発生させ、その熱を炉管を介して被加熱物または媒体に伝えます。このプロセスは安定した均一加熱を保証し、様々な工業用途に適しています。

MPCVD装置は、どのようにエネルギー効率を高めるのですか?

MPCVD装置は、無電極プロセスによりエネルギー効率を高め、コンタミネーションとエネルギー損失を低減します。マイクロ波プラズマ生成は高効率で、システムのモジュール式でスケーラブルな設計により、様々な産業用途で最適化されたエネルギー利用が可能です。

管状炉はどのような温度範囲を達成できますか?

管状炉には様々な用途に適した温度範囲があります。標準型は通常1200°Cまで、高温型は1400°Cから1700°Cまで達します。特殊な機種では最高 2000°Cに達するものもあります。温度能力は使用される発熱体や炉管の材質 (石英やアルミナなど) によって異なります。

マルチゾーン管状炉にはどのようなタイプがありますか?

利用可能なタイプには以下のものがあります:1) 分割式多加熱ゾーン回転式管状炉 (傾斜および回転機能付き)、2) ラボ用石英管状炉 (最高温度1700℃、1~10ゾーン)、3) 高速加熱の急速熱処理 (RTP) 炉、4) 化学蒸着用CVD管状炉、5) プラズマ強化プロセス用PECVD炉、6) 真空管状炉、7) 高圧管状炉。これらはゾーン数、温度範囲、真空/大気制御のような特殊機能をカスタマイズできる多様な構成で提供されます。

どのようなタイプのCVD装置がありますか?

CVD装置には、ラボ用ダイヤモンド成長用の円筒形共振器MPCVD装置システム、化学蒸着用の特注多用途CVD管状炉、液体ガス化装置付きスライドPECVD管状炉、真空ホットプレス炉装置、傾斜回転プラズマエンハンスト化学蒸着(PECVD)管状炉、真空ステーション付きスプリットチャンバーCVD管状炉、高周波プラズマエンハンスト化学蒸着用のRF PECVDシステムなど、いくつかのタイプがあります。それぞれのタイプは特定の用途向けに設計されており、独自の機能を備えています。

スプリット管炉の到達温度は?

スプリット管炉は最高温度1200℃に達することができ、材料合成、CVD、焼結などの高温用途に適しています。炉は加熱コイルを熱源として使用し、運転中の安全な外部温度を維持するための二重層強制空冷を備えています。

どのようなタイプの縦型管状炉がありますか?

縦型管状炉には様々なタイプがあり、単一または複数の加熱ゾーン、急速熱処理 (RTP) 機能、真空ステーション、CVD (Chemical Vapor Deposition) や PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) などの特定のラボニーズに対応するカスタマイズ可能なソリューションなどがあります。

なぜMPCVDがダイヤモンド成長に好まれるのか?

MPCVDは、荷電粒子と反応種の密度が高く、低圧で大面積のダイヤモンド膜の成膜が可能で、成長後の膜の均質性が高いため、ダイヤモンド成長に適しています。これらの特徴により、高純度で高品質なダイヤモンドが、その特性を正確に制御しながら得られる。

管状炉は異なる雰囲気下で運転できますか?

管状炉は多用途で、空気、不活性ガス (アルゴンや窒素など)、真空、特殊混合ガスなど様々な雰囲気下で作動します。そのため、酸化、還元、アニール、化学蒸着 (CVD) などの幅広いプロセスに適しています。多くの機種には真空対応設計と精密な雰囲気管理のためのガス制御システムが装備されています。

管状炉の分割設計が有益な理由は?

管状炉の分割型設計は、炉室への迅速かつ容易なアクセスを可能にする点で有益です。この設計は、多くの場合、空気圧式ダンパー支柱を備えた2つのヒンジ式ハーフを特徴としており、複雑なセットアップや大型試料の取り扱いを簡素化し、運転休止時間を短縮し、特に頻繁な変更や複雑な構成を必要とする用途において全体的な効率を高めます。

横型管状炉ではなく縦型管状炉を選ぶ理由

縦型管状炉が横型炉より選択されるのは、主にその省スペース設計と重力アシストプロセスの利点のためです。縦型は熱と材料の均一な分布が可能で、特定の実験や製造工程に最適です。

KINTEK管状炉の特徴は?

KINTEK の管状炉は、精密な温度制御 (最高 100°C/秒の急速加熱が可能な機種もあります)、カスタマイズ可能な加熱ゾーン (1 ゾーンから 10 ゾーンまで)、真空対応設計、および安全認証で際立っています。また、材料合成、CVD、焼結、半導体研究などの高度な用途向けに、回転機構、スプリットチャンバー、プラズマエンハンスド構成などのオプションを備えた汎用性の高いソリューションを提供しています。

縦型管状炉はどのような温度範囲を達成できますか?

竪型管状炉は、機種や構成にもよりますが、通常1800℃までの高温を達成できます。精密加熱用に設計され、様々な用途の特定温度要求に対応するようカスタマイズが可能です。

縦型管状炉はカスタマイズ可能ですか?

縦型管状炉は高度なカスタマイズが可能です。複数の加熱ゾーン、急速加熱機能、真空システム、特殊な雰囲気制御など、様々な研究用途や工業用途の独自のニーズに対応するための機能を装備することができます。
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製品データシート

液体気化器付きスライド式PECVD管状炉(PECVD装置)

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