製品 High Temperature Furnaces CVD & PECVD Furnace 真空ステーションCVD装置付きスプリットチャンバーCVD管状炉
真空ステーションCVD装置付きスプリットチャンバーCVD管状炉

CVD & PECVD Furnace

真空ステーションCVD装置付きスプリットチャンバーCVD管状炉

商品番号 : KT-CTF12

価格は以下に基づいて変動します 仕様とカスタマイズ


最高温度
1200℃
炉心管径
60mm
加熱速度
0~20℃/分
ISO & CE icon

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見積り

詳細&パーツ

ターボ高真空ポンプ付き1200C CVD装置
ターボ高真空ポンプ付き1200C CVD装置
ターボ真空ポンプステーション付き1600℃CVD炉
ターボ真空ポンプステーション付き1600C CVD炉
大型石英管付き分割CVD炉
大型石英管付き分割CVD炉
制御装置一体型高温CVD炉
制御装置一体型高温CVD炉

紹介

KINTEKは卓越した研究開発と自社製造により、ラボの多様なニーズに対応した先進の高温炉ソリューションを提供しています。高温CVD炉 真空ステーション付きスプリットチャンバーCVD管状炉 は、要求の厳しいCVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)用途向けに綿密に設計された汎用性の高い高性能システムです。

この炉は精密で使いやすいように設計されています。お客様の研究に役立つ主な特徴は以下の通りです:

  • 分割式ファーネスチャンバー: 反応試料への容易なアクセスと急速冷却を可能にし、実験効率とスループットを大幅に向上させます。
  • 高温能力: 高純度石英管(標準直径60mm、カスタマイズ可能なオプションあり)を使用し、1200℃までの温度を必要とするプロセスに適しています。
  • 正確なガス制御: CH4、H2、O2、N2などのソースガスを正確かつ安定的に供給し、一貫したプロセス結果を実現します。
  • 統合真空ステーション 堅牢な4L/Sロータリーベーン真空ポンプを搭載し、最大真空圧10Paを達成、様々な真空プロセスに最適な環境を提供します。

KINTEKでは、ユニークな実験要件には柔軟なソリューションが必要であることを理解しています。このシステムは、材料科学、半導体プロセス、先駆的な研究開発に理想的な高度な機能を満載していますが、お客様の特定のニーズに合わせてさらにカスタマイズすることも可能です。当社の専門知識は、マッフル炉、管状炉、回転炉、真空・雰囲気炉、先進のCVD/PECVD/MPCVDシステムなど、包括的な製品ラインに及んでおり、お客様の業務に最適なソリューションを確実に提供します。

お客様の研究能力を向上させ、CVDプロセスのカスタム構成についてご相談ください。 当社のスペシャリストにご連絡ください。 スプリットチャンバーCVD管状炉をお客様の正確な実験要件にどのように適合させることができるかを検討し、お見積もりをご依頼ください。

アプリケーション

真空ステーション付きスプリットチャンバーCVD管状炉は、材料科学、半導体製造、研究開発の分野におけるさまざまな用途向けに設計された、多用途で高度な装置です。この装置は、温度、ガスフロー、真空レベルを正確に制御する必要があるプロセスで特に有用であり、高品質の材料合成と処理に不可欠なツールです。

  • ナノ材料合成:この炉は、ナノワイヤー、ナノ薄膜、その他のナノ構造材料の成長に最適で、これらは高度な電子・光電子デバイスの開発に不可欠です。
  • 真空コーティング:金属膜、セラミック膜、複合膜など、光学や電子工学などの用途で材料の特性を向上させるために不可欠な薄膜を、さまざまな基板上に成膜するために広く使用されています。
  • 電池材料の加工:この炉は電池材料の乾燥・焼結に適しており、高性能電池の製造に不可欠な工程です。
  • 材料の乾燥と焼結:セラミックス、耐火物、特殊材料の高温焼結に使用され、これらの材料の圧密化と緻密化を確実にします。
  • 大気および真空熱処理:縦型管状炉の構造により、小型鋼部品の焼入れ、焼きなまし、焼き戻し、および縦型CVDコーティングが可能で、冶金プロセスにおける貴重な資産となっています。
  • 研究開発高温実験、雰囲気焼結、還元雰囲気、CVD/CVI実験など、大学、研究機関、工業・鉱業企業で広く使用され、材料科学技術の発展に貢献しています。

特徴

真空ステーションCVD装置付きスプリットチャンバーCVD管状炉は、高度な化学蒸着(CVD)プロセス用に設計された高度な装置です。この炉は成膜の効率と品質を高める最先端技術を統合しており、研究および工業用途に最適です。主な特徴とその利点をご紹介します:

  • 高い成膜速度:高周波グロー技術により、このファーネスは成膜速度を大幅に向上させ、最大10Å/Sに達します。この迅速な成膜は、ハイスループットの生産と研究に不可欠であり、時間の節約と生産性の向上につながります。
  • 大面積均一性:先進のマルチポイントRF供給技術と特殊なガス経路分布により、この炉は最大8%の膜均一性を保証します。この均一性は、大面積の基板に一貫した高品質のコーティングを形成するために不可欠であり、製造される材料の信頼性を高めます。
  • 一貫した成膜:先進の半導体産業コンセプトを取り入れた設計により、基板間の偏差は2%未満です。この高いレベルの一貫性は、電子部品の製造など、精密で再現性の高い結果を必要とするアプリケーションに不可欠です。
  • 安定したプロセス制御:装置の高い安定性は、CVDプロセスの継続性と一貫性を保証します。この信頼性は、プロセスの完全性を維持し、運転中の欠陥や故障のリスクを低減するために不可欠です。
  • インテリジェント制御システム:Bonage社が特許を取得した統合制御システムには、クローズドループ負帰還機構を使用した高性能温度制御システムが含まれています。このシステムは、高品質の輸入電気部品と組み合わされ、装置の全体的な性能と信頼性を高め、事実上メンテナンスフリーとなっています。
  • 多彩なアプリケーション金属膜、セラミック膜、複合膜など、さまざまな種類の膜の成膜に適したこの炉は、連続成長プロセスをサポートし、プラズマ洗浄やエッチングなどの追加機能で容易に拡張できます。この汎用性により、多様な研究・生産ニーズに対応する貴重な資産となります。

原理

真空ステーション付きスプリットチャンバーCVD管状炉は、化学気相成長(CVD)プロセスに使用される高温真空炉です。CVDは、ガスまたは蒸気の化学反応により、材料の薄膜を基板上に堆積させるプロセスです。真空ステーション付きスプリットチャンバーCVD管状炉は、CVDプロセス中に基板へのアクセスを容易にするため、スプリット炉チャンバーを採用しています。真空ステーションは炉室内を真空にし、不純物を除去して成膜品質を向上させます。

利点

  • 直感的な試料観察と急速冷却炉室が分割されているため、反応試料を直接観察でき、急速冷却が可能。
  • 高温対応最高使用温度は1200℃まで対応し、多様なアプリケーションに対応
  • 正確なガス制御: CH4、H2、O2、N2ソースを備えた4チャンネルのMFCマスフローメーターにより、正確で安定したガス供給が保証されます。
  • 真空対応4L/Sロータリーベーン真空ポンプを搭載した真空ステーションは、最大10Paの真空圧を実現し、様々な真空プロセスを可能にします。
  • 高速加熱・冷却炉室スライド方式により、迅速な加熱・冷却が可能。
  • 高度な温度制御優れた精度のPIDプログラマブル温度制御、リモートコントロール、集中制御機能。
  • ユーザーフレンドリーなインターフェース7インチTFTタッチスクリーンを搭載したCTF Proコントローラーにより、直感的なプログラム設定とデータ解析が可能。
  • 多彩な真空セットアップステンレス製真空フランジは、様々な真空ポンプステーションに対応し、真空環境をカスタマイズできます。
  • エネルギー効率水冷システムとガスアフターフロー設計により、エネルギー消費を最小限に抑えます。
  • 幅広い適用性CVD、拡散、および真空と大気保護下の他の熱処理に適しています。

安全性

  • Kindle Tech管状炉は過電流保護と過温度警報機能を持ち、炉は自動的に電源を切ります。
  • 熱カップル検出機能で炉を構築し、炉は加熱を停止し、アラームは一度壊れたか、または障害が検出されたオンになります。
  • KT-CTF12 プロ サポート電源異常の再始動機能、炉は力が失敗の後で入っているとき炉の暖房プログラムを再開します

技術仕様

炉モデル KT-CTF12-60
最高温度 1200℃
一定作業温度 1100℃
炉心管材質 高純度石英
炉管の直径 60mm
加熱ゾーン長さ 1x450mm
チャンバー材質 日本アルミナ繊維
発熱体 Cr2Al2Mo2ワイヤーコイル
加熱速度 0~20℃/分
熱電対 Kタイプ
温度コントローラー デジタル PID コントローラー/タッチ画面 PID のコントローラー
温度調整の正確さ ±1℃
スライド距離 600mm
ガス精密制御ユニット
流量計 MFCマスフローメーター
ガスチャンネル 4チャンネル
流量 MFC1: 0-5SCCM O2
MFC2: 0-20SCMCH4
mfc3: 0- 100sccm h2
mfc4: 0-500sccm n2
直線性 ±0.5% F.S.
繰り返し性 ±0.2% F.S.
パイプラインとバルブ ステンレス鋼
最高使用圧力 0.45MPa
流量計コントローラー デジタルノブコントローラー/タッチスクリーンコントローラー
標準真空ユニット(オプション)
真空ポンプ ロータリーベーン真空ポンプ
ポンプ流量 4L/S
真空吸引ポート KF25
真空計 ピラニ/抵抗シリコン真空計
定格真空圧 10Pa
高真空ユニット(オプション)
真空ポンプ ロータリーベーンポンプ+分子ポンプ
ポンプ流量 4L/S+110L/S
真空吸引ポート KF25
真空計 複合真空計
定格真空圧 6x10-5Pa
上記の仕様とセットアップはカスタマイズすることができます

標準パッケージ

いいえ 説明 数量
1 1
2 石英管 1
3 真空フランジ 2
4 チューブサーマルブロック 2
5 チューブサーマルブロックフック 1
6 耐熱グローブ 1
7 精密ガスコントロール 1
8 真空ユニット 1
9 操作マニュアル 1

オプション設定

  • H2、O2 などの管内ガス検知および監視
  • 独立した炉内温度のモニタリングと記録
  • RS 485 通信ポートによる PC の遠隔操作とデータのエクスポート
  • 質量流量計やフロート流量計のような流量制御を供給するインサートガス
  • タッチスクリーン式温度調節器と多彩なオペレーターフレンドリー機能
  • ベーン真空ポンプ、分子ポンプ、拡散ポンプのような高真空ポンプステーションのセットアップ

カスタマイズに関するお問い合わせや、KINTEKがお客様の特定の研究ニーズをどのようにサポートできるかについての詳細は、以下をご覧ください。 お問い合わせフォーム または弊社エキスパートチームまでお問い合わせください。

FAQ

管状炉とは何ですか?

管状炉は、熱源を通して熱を発生させ、その熱を炉管を通してワークまたは媒体に伝える加熱装置です。様々な工業用途に適した安定した均一加熱を実現します。温度制御システムは熱電対やその他のセンサーで炉の温度を監視し、その信号を制御装置にフィードバックして発熱体の出力を調整し、正確な温度制御を維持します。

マルチゾーン管状炉の主な用途は?

マルチゾーン管状炉は、半導体・電池製造、熱電対・鉱物絶縁ケーブル製造、真空ロウ付け・熱処理、真空硬化・焼結、水・廃棄物・土壌試験、航空宇宙セラミック・金属試験、石油・ガス分析、固体酸化物燃料電池、高分子複合材料・グラフェン製造など、様々な商業・研究用途で使用されています。また、金属の熱処理(焼き入れ、焼き戻し、焼きなまし)、溶接の予熱、セラミック/粉末冶金の焼結、コーティング処理、材料研究実験などにも使用されています。

MPCVD装置の原理は?

MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) 装置は、マイクロ波発生装置を使って混合ガスをイオン化し、プラズマを生成する。このプラズマは、低圧下の反応チャンバーに収容され、基板は基板ホルダーで固定されます。主なコンポーネントは、マイクロ波発生装置、プラズマチャンバー、ガス供給システム、基板ホルダー、真空システムです。

PECVD装置は何に使用されますか?

PECVD(プラズマ・エンハンスト・ケミカル・ベーパー・デポジション)装置は、シリコンやそれに類する材料の加工、ナノテクノロジー、太陽電池製造、エレクトロニクス分野で幅広く使用されている。太陽電池の薄膜を成膜し、電子デバイスの高品質コンポーネントを作成するために不可欠です。アプリケーションには、電子デバイス製造(導電層の分離、コンデンサー、表面パッシベーション)、半導体デバイス、プリンタブルエレクトロニクス、医療機器保護などが含まれます。

真空炉の主な用途は?

真空炉は主に、所望の材料特性を得るための真空焼入れ(焼き戻し、焼きなまし)、母材の融点以下で溶接するための真空ろう付け、金属粉粒を部品に接合するための真空焼結、金属や磁性材料の処理に真空プラス磁気を利用するために使用されます。また、半導体デバイス、光学薄膜、機能性コーティング、ナノマテリアルなどの分野でも広く使用されており、材料調製や機能向上のための重要な技術サポートとなっている。

縦型管状炉とは

縦型管状炉は垂直方向に設計された高温加熱装置で、正確な温度制御、均一な加熱、効率的なエネルギー使用を実現します。その縦型設計は省スペースで、特に縦型設置が有利なプロセスに役立ちます。

雰囲気炉の用途は?

雰囲気炉は、材料加工、金属加工、半導体製造、太陽電池製造、光学材料、セラミックス・ガラス工業、電子材料製造、新エネルギー材料の研究開発などに広く使用されています。

真空誘導炉とは

真空誘導炉は、誘導加熱技術を用いて真空環境で金属を溶解する特殊な加熱装置です。不純物を除去し、酸化や汚染を防止して溶融金属の品質を向上させるように設計されています。

CVD装置の原理は?

化学気相成長法(CVD)の原理は、膜成分やその他の必要なガスを含む気体または液体の反応物の蒸気を反応室に導入することである。温度上昇、プラズマ作用、光放射などのエネルギーを加えることで、基板表面で化学反応が起こり、新しい固体物質が生成され、薄膜として堆積する。CVD炉の動作原理は、炉室内に前駆体ガスを導入し、高温によってこれらのガスを基板表面付近で反応または分解させることである。目的の材料は固体膜として基板上に堆積し、副生成物や未使用のガスは排気または真空システムを通して排出されます。

管状炉の主な用途は?

管状炉は真空または大気条件下でのガス急冷試験、合成や精製を含む熱処理用途、無機または有機化合物の酸化、拡散、脱炭酸、熱アニールなどに広く使用されています。また、加熱・冷却速度の制御が必要な材料試験、熱処理、化学反応にも使用されます。縦型管状炉は、試料を炉の上部から投入するプロセスに特に適しています。

マルチゾーン管状炉の主な特徴は?

主な特徴は以下の通りです:1) 柔軟なアニーリングおよび化学蒸着機能、2) 最大60mm (2インチ) までの試料の収容、3) ガス供給が容易な内蔵マニホールド、4) 端部が低温で中央部が均一加熱の自然な温度勾配、5) 様々なガスまたは真空条件への適応性、6) 正確な温度プロファイルのための複数の独立制御加熱ゾーン。

MPCVD装置を使用する利点は何ですか?

MPCVD装置にはいくつかの利点があります。ホットワイヤー(無極性放電)による汚染がなく、複数のガスを使用でき、反応温度を安定的に制御でき、大面積の安定した放電プラズマが可能で、膜厚、純度、結晶品質を正確に制御できます。さらに、大面積のダイヤモンド膜を生成し、安定した条件を確保し、安定した試料品質を維持し、費用対効果に優れています。

PECVD装置の主な種類は?

PECVD装置には、傾斜回転プラズマエンハンスト化学蒸着PECVD管状炉装置、真空ステーション付きスプリットチャンバーCVD管状炉、RF PECVDシステム、円筒形共振器MPCVD装置システムなど、さまざまなタイプがあります。それぞれのタイプは、半導体研究、薄膜蒸着、ラボ用ダイヤモンド成長などの特定の用途向けに設計されています。

真空炉の主な特徴は?

真空炉は、主に金属などの材料を超高温で、低汚染かつ高い均一性で加熱します。材料は垂直または水平に装入できます。真空炉には冷却媒体、装入物のサイズ、温度、圧力に応じてバッチ式と連続式があります。真空炉にはホットウォール型とコールドウォール型があり、コールドウォール型は動作温度範囲が広く、加熱・冷却が速く、温度均一性が高いのが特徴です。

竪型管状炉の用途は?

縦型管状炉は、加熱・冷却速度の制御を必要とする材料試験、熱処理、化学反応に広く使用されています。また化学工学では合成樹脂、ゴム、塗料、染料の製造に、食品工業では焼成、乾燥、殺菌に、冶金では製錬、溶解、熱処理プロセスに使用されます。

雰囲気炉の主な特徴は?

雰囲気ボックス炉の主な特徴は、不活性ガス(窒素、アルゴンなど)、還元性ガス(水素など)、真空条件などの特定のガス環境を維持し、加熱中の酸化や汚染、不要な化学反応を防止できることです。炉は通常、高温耐性のボックスチャンバー、発熱体、ガス供給システムから構成される。高度な機種では、プログラム可能な温度制御装置、均一な加熱ゾーン、操作の信頼性を確保する安全インターロックが装備されることもあります。

真空誘導炉の主な用途は?

真空誘導炉は航空宇宙、冶金、材料研究などの産業で、金属や合金の溶解、焼結、熱処理、ろう付けなどのプロセスに広く使用されています。特に高純度金属や先端材料の製造に有用である。

CVD装置を使用する利点は何ですか?

CVDは、高い純度、均一性、適合性を提供するため、複雑な形状のコーティングに適しています。半導体、航空宇宙、生物医学などの産業で使用されています。PVDとは異なり、CVDは直視下での塗布に限定されず、反応中にコーティングが表面に結合するため、優れた密着性が得られます。

管状炉を使用する利点は?

管状炉には、成熟した技術、シンプルな炉構造、低い消費電力、高い熱効率、容易な操作と制御、連続生産能力、精密な温度制御、均一な温度分布、異なる雰囲気への適応性などの利点があります。また、製品の歩留まりが高く、製品濃度が高く、分解ガスや排ガスをほとんど回収できる。複数の炉を組み合わせて大規模生産も可能です。

マルチゾーン管状炉の仕組み

マルチゾーン管状炉の機能1) 独立制御された複数の発熱体を通して熱を発生させ、2) この熱を炉管を通してワークピースに均一に伝達し、3) 正確な温度勾配 (CVD 膜成長のようなプロセスの場合) または拡張された恒温ゾーン (複数のゾーンを同じ温度に設定した場合) を形成し、4) 様々な工業プロセスに適した安定した加熱条件を維持します。

MPCVD装置の主な用途は?

MPCVD装置は、主にダイヤモンド膜やその他の先端材料を含む、高純度ラボグロウンダイヤモンド合成に使用されます。その用途は、精密な制御により高品質で均質な膜を製造できることから、半導体研究、光学、MEMS(微小電気機械システム)にまで及びます。

PECVD装置の仕組み

PECVD装置は、化学蒸着プロセスを強化するためにプラズマを使用します。成膜速度や膜特性(膜厚、硬度、屈折率など)は、ガス流量、動作温度、プラズマ条件などのパラメーターを調整することで制御します。プラズマによって密度、純度、粗さなどの材料特性を微調整できるため、より低い基板温度で高品質の薄膜を作ることができる。

真空炉の仕組み

真空炉の作動原理は、チャンバー内の空気やガスを除去して真空状態にし、酸化や汚染を防止することです。発熱体が熱を発生し、温度制御システムが加熱プロセスを調節して、正確で一貫した結果を確保します。真空システムは炉室内を排気して真空状態にし、発熱体が炉室内を加熱し、温度制御システムが加熱速度と保持時間を調整することで、真空条件下での材料の加熱を可能にします。

縦型管状炉の利点は?

竪型管状炉は横型炉に比べて設置面積が小さいため、スペースの限られた研究室に最適です。また、効率的で省エネルギーな運転、精密な温度制御、柔軟な使用方法、操作の容易さ、安全性、信頼性、環境基準への適合も実現します。

雰囲気炉の仕組み

管状炉は熱源を通して熱を発生させ、その熱を炉管を通して被加熱物または媒体に伝えます。このプロセスは様々な工業用途に適した安定した均一加熱を実現します。焼結の原理は、材料を融点以下の高温に加熱して粒子を結合させ、固体構造を形成させます。熱と場合によっては圧力が加えられて材料が圧縮・高密度化され、機械的・物理的特性が向上します。

真空誘導炉の仕組み

炉はチャンバー内を真空にして空気やガスを除去し、酸化を防ぎます。その後、誘導加熱によって金属を溶かします。この真空と誘導加熱の組み合わせにより、高品質な金属加工のためのクリーンで制御された環境が保証されます。

CVD装置の用途は?

CVDは、半導体デバイスの製造(窒化ケイ素絶縁層など)、光学コーティング、保護コーティング、独自の電気的、熱的、機械的特性を持つグラフェンやカーボンナノチューブのような先端材料など、さまざまな用途で使用されています。また、従来の技術では不可能だったコンフォーマル膜の成膜や基板表面の改質にも使用される。原子層蒸着、集積回路、光起電力デバイス、耐摩耗性コーティング、特殊特性を持つポリマーコーティング、ガス検知用有機金属骨格、水処理用膜コーティングなどの用途がある。

管状炉にはどのようなタイプがありますか?

管状炉には、ラボ用石英管状炉、分割型マルチヒーティングゾーン回転式管状炉、マルチゾーン管状炉、高温管状炉(最高1700℃)、薄膜蒸着用PECVD管状炉、真空管状炉、縦型管状炉など、さまざまなタイプがあります。これらには、急速加熱、傾斜調整、360°回転、カスタマイズ可能な加熱ゾーン、真空対応など、さまざまな用途に適した機能が装備されています。

マルチゾーン管状炉を使用する利点は何ですか?

利点は以下の通りです:1)シンプルな炉構造による成熟した信頼性の高い技術、2)高い熱効率による低消費電力、3)容易な操作と精密な制御、4)連続生産能力、5)均一加熱ゾーンの拡大または精密な温度勾配の形成能力、6)化学プロセスにおける製品収率の向上、7)プロセスガスの回収能力、8)幅広い原料適用性、9) 炉の組み合わせによる大規模生産への拡張性。

MPCVD装置の主なコンポーネントは何ですか?

MPCVD装置の主な構成要素には、マイクロ波発生装置(プラズマを発生させる)、反応チャンバー(低圧下で基板と混合ガスを収容する)、基板ホルダー(成膜中に基板を保持する)、ガス供給システム(混合ガスを導入・制御する)、真空システム(必要な低圧環境を維持する)などがあります。

PECVD装置の主な特徴は何ですか?

PECVD装置の主な機能には、電子サブシステムを搭載したユニバーサル・ベース・コンソール、排気ポートを備えたPECVDプロセス・チャンバー、加熱された上部電極と下部電極、パラメーター・ランピング・ソフトウェア、マスフロー制御ガスラインを備えたガスポッドなどがあります。システムには通常、チャンバー、真空ポンプ、ガス供給システムが含まれ、電源、ガスの種類、圧力センサーによって構成が異なります。

真空炉を使用する利点は?

真空炉の利点には、小面積での精密な温度制御、炭素、酸素、その他のガスによる製品の低汚染、製品の急速冷却(急冷)、冶金学的再現性を確保するためのコンピューター制御プロセスなどがあります。さらに、真空炉は高純度の処理環境を提供し、雰囲気調整が不要なため処理速度が速く、大気の影響を受けないため処理プロセスの制御性が高い。

竪型管状炉の仕組み

縦型管状炉は熱源から熱を発生させ、その熱を炉管を介して被加熱物または媒体に伝えます。このプロセスは安定した均一加熱を保証し、様々な工業用途に適しています。

雰囲気炉を使用する利点は?

雰囲気炉の利点は、雰囲気成分の調整による強力な環境制御能力、真空炉に比べて低コスト、金属やセラミックスなど様々な材料に適した幅広い応用範囲などが挙げられます。また、精密な温度制御、フレキシブルな雰囲気制御、高い加熱効率、省エネルギーと環境保護、安全で信頼性の高い操業、幅広い適用範囲、合理的な構造設計などが挙げられます。

真空誘導炉を使用する利点は何ですか?

主な利点は以下の通りです:1.酸素や反応性ガスがないため、コンタミのない加工が可能。2.正確な温度制御による安定した結果3.様々な材料やプロセスに対応できる汎用性。4.熱損失を最小限に抑えた高効率5.不純物の除去による製品品質の向上

CVD装置の主な特徴は?

CVD炉の主な特徴には、高温能力(通常200℃から1500℃以上)、精密なガス流量制御、雰囲気制御(真空、大気圧、低圧環境)、均一な薄膜成膜のための均一加熱、副生成物や未反応ガスを除去する効率的な排気システムなどがあります。CVDコーティングプロセスの主な特徴として、反応を促進するための高温での塗布があり、通常は真空下で行われる。コーティング前に、部品表面から汚染物質を除去する必要があります。

管状炉はどのような温度範囲を達成できますか?

管状炉には様々な用途に適した温度範囲があります。標準型は通常1200°Cまで、高温型は1400°Cから1700°Cまで達します。特殊な機種では最高 2000°Cに達するものもあります。温度能力は使用される発熱体や炉管の材質 (石英やアルミナなど) によって異なります。

マルチゾーン管状炉にはどのようなタイプがありますか?

利用可能なタイプには以下のものがあります:1) 分割式多加熱ゾーン回転式管状炉 (傾斜および回転機能付き)、2) ラボ用石英管状炉 (最高温度1700℃、1~10ゾーン)、3) 高速加熱の急速熱処理 (RTP) 炉、4) 化学蒸着用CVD管状炉、5) プラズマ強化プロセス用PECVD炉、6) 真空管状炉、7) 高圧管状炉。これらはゾーン数、温度範囲、真空/大気制御のような特殊機能をカスタマイズできる多様な構成で提供されます。

MPCVD装置は、どのようにエネルギー効率を高めるのですか?

MPCVD装置は、無電極プロセスによりエネルギー効率を高め、コンタミネーションとエネルギー損失を低減します。マイクロ波プラズマ生成は高効率で、システムのモジュール式でスケーラブルな設計により、様々な産業用途で最適化されたエネルギー利用が可能です。

PECVD装置を使用する利点は何ですか?

PECVD装置には、迅速な成膜速度(例えば、窒化シリコンはCVDの160倍の速度)、プラズマパラメータとガス組成の調整による特性の異なる膜の作成能力、高品質で均一な膜厚、良好な密着性、クラックのリスクの低減、複雑な表面への適合性などの利点があります。また、高い耐溶剤性と耐腐食性、化学的・熱的安定性も備えています。

真空炉で処理できる材料の種類は?

真空炉は主に焼結、焼鈍、ロウ付けなどの金属加工に使用されます。また、セラミック、複合材料、その他の先端材料、特に半導体デバイス、光学薄膜、ナノ材料など、高純度で精密な温度制御を必要とする用途にも適しています。

どのようなタイプの縦型管状炉がありますか?

縦型管状炉には様々なタイプがあり、単一または複数の加熱ゾーン、急速熱処理 (RTP) 機能、真空ステーション、CVD (Chemical Vapor Deposition) や PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) などの特定のラボニーズに対応するカスタマイズ可能なソリューションなどがあります。

雰囲気炉で使用できるガスの種類は?

雰囲気炉は、不活性ガス (窒素、アルゴンなど)、還元性ガス (水素など)、真空状態など特定のガス環境を維持し、加熱中の酸化、汚染、不要な化学反応を防止します。

真空誘導炉にはどのようなタイプがありますか?

真空誘導炉にはバッチ式、連続式、ホットウォール式、コールドウォール式など様々な設計があります。また、冷却媒体、装入物サイズ、要求温度、圧力条件に基づき、特定の工業または研究ニーズに合わせてカスタマイズすることも可能です。

どのようなタイプのCVD装置がありますか?

CVD装置には、ラボ用ダイヤモンド成長用の円筒形共振器MPCVD装置システム、化学蒸着用の特注多用途CVD管状炉、液体ガス化装置付きスライドPECVD管状炉、真空ホットプレス炉装置、傾斜回転プラズマエンハンスト化学蒸着(PECVD)管状炉、真空ステーション付きスプリットチャンバーCVD管状炉、高周波プラズマエンハンスト化学蒸着用のRF PECVDシステムなど、いくつかのタイプがあります。それぞれのタイプは特定の用途向けに設計されており、独自の機能を備えています。

管状炉は異なる雰囲気下で運転できますか?

管状炉は多用途で、空気、不活性ガス (アルゴンや窒素など)、真空、特殊混合ガスなど様々な雰囲気下で作動します。そのため、酸化、還元、アニール、化学蒸着 (CVD) などの幅広いプロセスに適しています。多くの機種には真空対応設計と精密な雰囲気管理のためのガス制御システムが装備されています。

なぜMPCVDがダイヤモンド成長に好まれるのか?

MPCVDは、荷電粒子と反応種の密度が高く、低圧で大面積のダイヤモンド膜の成膜が可能で、成長後の膜の均質性が高いため、ダイヤモンド成長に適しています。これらの特徴により、高純度で高品質なダイヤモンドが、その特性を正確に制御しながら得られる。

PECVD装置で成膜できる材料は?

PECVD装置は、窒化ケイ素(SiN)や炭化ケイ素(SiC)など、半導体や高温MEMS用途で特に有用なさまざまな材料を成膜できます。これらの装置は汎用性があり、特定の産業や研究のニーズに合わせて特性を調整した薄膜を作成するために使用することができます。

ホットウォール式真空炉とコールドウォール式真空炉の違いは何ですか?

ホットウォール型真空炉は真空チャンバー内に発熱体と断熱材があり、コールドウォール型真空炉はこれらの部品がチャンバー外にあります。コールドウォール炉はホットウォール炉に比べ、動作温度範囲が広く、加熱・冷却が速く、温度均一性が高いのが特徴です。

横型管状炉ではなく縦型管状炉を選ぶ理由

縦型管状炉が横型炉より選択されるのは、主にその省スペース設計と重力アシストプロセスの利点のためです。縦型は熱と材料の均一な分布が可能で、特定の実験や製造工程に最適です。

高度な雰囲気炉にはどのような安全機能がありますか?

高度な雰囲気炉には、プログラム可能な温度制御装置、均一な加熱ゾーン、操作の信頼性を確保する安全インターロックなどがあります。プログラム制御式雰囲気炉には、炉温度や酸素含有量などの重要パラメーターを監視する保護システムが装備されています。異常が発生した場合、システムは自動的にシャットダウンまたはアラームを作動させ、炉と炉内の試料を保護します。

なぜ真空誘導炉では温度制御が重要なのですか?

正確な温度制御は、均一な加熱を確保し、材料の劣化を防ぎ、溶融、焼結、熱処理などのプロセスで一貫した結果を得るために極めて重要です。これらの炉の高度な制御システムは、プロセス全体を通じて正確な温度を維持します。

KINTEK管状炉の特徴は?

KINTEK の管状炉は、精密な温度制御 (最高 100°C/秒の急速加熱が可能な機種もあります)、カスタマイズ可能な加熱ゾーン (1 ゾーンから 10 ゾーンまで)、真空対応設計、および安全認証で際立っています。また、材料合成、CVD、焼結、半導体研究などの高度な用途向けに、回転機構、スプリットチャンバー、プラズマエンハンスド構成などのオプションを備えた汎用性の高いソリューションを提供しています。

なぜPECVDが他の成膜方法よりも好まれるのですか?

PECVDは、より低い基板温度での成膜が可能で、良好なステップカバレッジを提供し、非常に均一な成膜を可能にするため、他の成膜方法よりも好まれます。また、屈折率、応力、硬度などの材料特性の制御にも優れているため、精密な薄膜特性を必要とする用途に最適です。

真空炉は特定の用途に合わせてカスタマイズできますか?

真空炉は冷却媒体、装入物サイズ、温度、圧力要求に基づいてカスタマイズできます。バッチ式または連続式に設計でき、焼結、ろう付け、熱処理など特定の用途に合わせることができ、垂直または水平装入のオプションもあります。

縦型管状炉はどのような温度範囲を達成できますか?

竪型管状炉は、機種や構成にもよりますが、通常1800℃までの高温を達成できます。精密加熱用に設計され、様々な用途の特定温度要求に対応するようカスタマイズが可能です。

真空誘導炉で処理できる材料は?

真空誘導炉は金属、合金、セラミック、複合材料を含む幅広い材料を処理することができます。特にチタン、ニッケル基合金、希土類金属など、高純度が要求される材料や酸化に敏感な材料に効果的です。

縦型管状炉はカスタマイズ可能ですか?

縦型管状炉は高度なカスタマイズが可能です。複数の加熱ゾーン、急速加熱機能、真空システム、特殊な雰囲気制御など、様々な研究用途や工業用途の独自のニーズに対応するための機能を装備することができます。

真空環境は材料加工にどのようなメリットをもたらしますか?

真空環境は酸素やその他の反応性ガスを排除し、材料の酸化や汚染を防ぎます。また、処理雰囲気の制御が向上し、熱損失が減少するため、材料を劣化させることなく高温処理が可能になります。
この製品に関するよくある質問をもっと見る

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Incredible precision and speed! This furnace exceeded my expectations for lab efficiency.

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真空ステーションCVD装置付きスプリットチャンバーCVD管状炉

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Cvd & Pecvd Furnace

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