
CVD & PECVD Furnace
傾斜ロータリープラズマ化学蒸着 PECVD チューブ炉マシン
商品番号 : KT-PED
価格は以下に基づいて変動します 仕様とカスタマイズ
- 加熱温度
- ≤800℃
- 真空度
- ≤5×10-5Pa
- 出力電力
- 500W-1000W

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プラズマエンハンスト化学気相成長(PECVD)コーティング装置
KINTEKの最先端PECVDシステム:お客様のニーズに合わせた精密コーティング
KINTEKは、卓越した研究開発と自社製造により、多様なラボや産業用途向けに設計された最先端のプラズマエンハンスト化学気相成長(PECVD)システムを提供しています。PECVDは、プリカーサーガスをプラズマで活性化させる高度な真空薄膜形成技術です。これにより、従来の化学気相成長法(CVD)よりも大幅に低い温度で、高品質で均一なコーティングが可能になり、熱に弱い基材(プラスチックなど)や多様なコーティング材料(誘電体、半導体、絶縁体など)の可能性が広がります。
当社のPECVD装置は、マッフル炉、管状炉、回転炉、真空・雰囲気炉、その他のCVD/MPCVDシステムなど、KINTEKの先進的な高温炉ソリューションの包括的な製品群の中で重要な位置を占めています。PECVDシステムは、お客様独自の実験および生産要件を満たすように正確に設計されています。
主な特徴
KINTEKのプラズマエンハンスト化学気相蒸着(PECVD)コーティング装置は、優れた性能と汎用性を実現するために設計されたさまざまな機能を備えています:
- 低温成膜: 低温成膜:デリケートな基板や低融点基板に熱ダメージを与えることなく高品質な成膜を可能にし、材料適合性を大幅に向上させます。
- 高い成膜速度: 迅速な膜成長を実現し、スループットの最大化、処理時間の短縮、全体的な生産性の向上を実現します。
- 均一で割れにくい皮膜: 基材全体で膜厚と特性が非常に均一な皮膜を形成し、ひび割れなどの欠陥を最小限に抑えることで、信頼性と耐久性に優れた結果をもたらします。
- 優れた基材密着性: 成膜された膜と基材との強固な結合を保証し、性能を長持ちさせ、剥離を防止します。
- 多彩な成膜能力: SiO2、SiNx、SiOxNyなど、さまざまな材料の成膜に対応し、多様なアプリケーション・ニーズに応える。
- 複雑な形状へのコンフォーマルコーティング: 複雑な形状やトポグラフィーを持つ基板を均一にコーティングでき、包括的なカバレッジと最適なパフォーマンスを保証します。
- 使いやすい設計: ダウンタイムを最小限に抑え、ワークフローへの統合を簡素化します。
技術仕様
サンプルホルダー | サイズ | 1~6インチ |
回転速度 | 0-20rpm 調節可能 | |
加熱温度 | ≤800℃ | |
制御精度 | ±0.5℃ SHIMADEN PIDコントローラー | |
ガスパージ | 流量計 | マスフローメータコントローラ(MFC) |
チャンネル数 | 4チャンネル | |
冷却方式 | 循環水冷却 | |
真空チャンバー | チャンバーサイズ | Φ500mm X 550mm |
観察ポート | バッフル付きフルビューポート | |
チャンバー材質 | 316ステンレス | |
ドアタイプ | フロントオープンタイプドア | |
キャップ材質 | 304ステンレス | |
真空ポンプポート | CF200フランジ | |
ガス注入口 | φ6 VCRコネクター | |
プラズマ電源 | ソース電源 | DC電源またはRF電源 |
カップリングモード | 誘導結合またはプレート容量性 | |
出力電力 | 500W-1000W | |
バイアス電力 | 500v | |
真空ポンプ | プレポンプ | 15L/S ベーン真空ポンプ |
ターボポンプポート | CF150/CF200 620L/S-1600L/S | |
リリーフポート | KF25 | |
ポンプ速度 | ベーンポンプ:15L/s,ターボポンプ:1200L/s或いは1600L/s | |
真空度 | ≤5×10-5Pa | |
真空センサー | イオン化/抵抗真空計/フィルムゲージ | |
システム | 電源 | AC 220V /380 50Hz |
定格出力 | 5kW | |
外形寸法 | 900mm X 820mm X 870mm | |
重量 | 200kg |
用途
KINTEKのプラズマエンハンスト化学気相成長(PECVD)コーティング装置は、幅広い産業や最先端のアプリケーションに対応する汎用性の高いソリューションを提供します:
- LED照明 効率的で耐久性のある発光ダイオード(LED)に不可欠な高品質の誘電体および半導体膜の成膜。
- パワー半導体 パワー半導体デバイスにおける絶縁層、ゲート酸化膜、その他の重要な膜構成要素の形成。
- MEMS(微小電気機械システム): センサー、アクチュエーター、その他のマイクロスケールデバイス用の精密薄膜の製造。
- 光学コーティング 反射防止膜、光学フィルター、保護膜、その他の機能性光学部品の成膜。
- 薄膜太陽電池 アモルファス・シリコン薄膜、微結晶シリコン薄膜、その他の半導体材料の製造。
- 表面改質: 耐食性、耐摩耗性、硬度、生体適合性の向上など、材料表面の特性を向上させる。
- ナノテクノロジー ナノ粒子、ナノワイヤー、超薄膜などの高度なナノ材料の合成。
PECVD技術でKINTEKと提携する理由
お客様のPECVDのニーズにKINTEKをお選びいただくことは、品質、信頼性、ニーズに合わせたソリューションへの投資を意味します:
- 徹底したカスタマイズ: KINTEKは、お客様の仕様に合わせたPECVDシステムの構築を得意としており、お客様独自のアプリケーションや研究目標に最適なパフォーマンスをお約束します。
- 高度なR&Dと製造: 社内の専門知識が技術革新の原動力となり、最先端のPECVD技術を提供することができます。
- 高品質の構造: 当社のシステムは、安定性、耐久性、長寿命を実現するために、ステンレス鋼のような高級材料で構築された堅牢な設計が特徴です。
- 信頼性の高いパフォーマンス: 安定した結果を得るために設計された当社のPECVD装置は、優れた密着性を持つ高品質で均一な薄膜を生成します。
- 包括的なサポート: 簡単な設置から低メンテナンスまで、当社のシステムはユーザーフレンドリーであり、迅速なカスタマーサービスに支えられています。
- 汎用性: 当社の装置は、さまざまな材料を成膜できるため、多様な研究および工業プロセスに適しています。
動作原理
プラズマ・エンハンスト・ケミカル・ベーパー・デポジション(PECVD)は、プラズマ(電離ガス)を利用して、薄膜蒸着プロセス中の化学反応を刺激・促進するプロセスです。反応を促進するために高温のみに頼る従来のCVDとは異なり、PECVDは高エネルギープラズマを採用しています。このプラズマは前駆体ガスにエネルギーを与え、著しく低い基板温度で反応種を形成させる。そして、これらの反応種が基板表面に吸着し、化学反応を起こして固体の薄膜を形成する。この方法によって、SiO2、SiNx、SiOxNyなど、さまざまな高品質膜の成膜が可能になり、太陽電池に使用されるアモルファスまたは微結晶シリコン薄膜の形成に特に効果的である。低い処理温度は、基板への熱応力を最小限に抑え、ピンホールを減らし、クラックを防ぐため、PECVDはより幅広い材料や用途に理想的です。
KINTEK PECVDソリューションのカスタマイズ
薄膜形成能力を向上させる準備はできていますか?KINTEKのエキスパートが、お客様の具体的なプロジェクトのニーズや課題についてご相談に応じます。お客様の実験または生産要件に完璧に合わせたプラズマエンハンスト化学気相成長システムを構成するお手伝いをいたします。カスタマイズに関する深い専門知識と高度な技術により、優れた結果を得ることができます。
カスタムPECVDソリューションをご検討の際は、今すぐお問い合わせください!
FAQ
管状炉とは何ですか?
回転式管状炉の主な用途は?
回転炉の原理は?
回転炉は何に使われるのか?
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分割管炉の一般的な用途は?
縦型管状炉とは
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This machine is a game-changer! The precision and efficiency are unmatched. Worth every penny!
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Incredible technology! The inclined rotary feature makes all the difference. Superb quality!
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