製品 High Temperature Furnaces CVD & PECVD Furnace カスタムメイド万能CVD管状炉化学蒸着CVD装置マシン
カスタムメイド万能CVD管状炉化学蒸着CVD装置マシン

CVD & PECVD Furnace

カスタムメイド万能CVD管状炉化学蒸着CVD装置マシン

商品番号 : KT-CTF16

価格は以下に基づいて変動します 仕様とカスタマイズ


最高温度
1600℃
温度制御精度
±1℃
真空圧(高真空オプション)
6×10-5Pa
ISO & CE icon

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見積り

KINTEKの先進的CVD管状炉:高精度、多用途、カスタマイズ

KINTEKは、卓越した研究開発と自社製造により、さまざまな研究所や産業界のお客様に先進的な高温炉ソリューションを提供しています。マッフル炉、管状炉、回転炉、真空炉、雰囲気炉、特殊CVD/PECVD/MPCVDシステムなどの幅広い製品ラインは、強力なカスタマイズ能力によって支えられています。当社は、お客様独自の実験および生産要件に的確に対応することをお約束します。

製品概要高性能CVD管状炉

KINTEK Chemical Vapor Deposition (CVD) Tube Furnaceは、温度、雰囲気、ガス流の精密な制御が要求されるプロセス用に綿密に設計されています。絶縁材料、金属材料、金属合金材料など、研究用途や産業用途に不可欠なさまざまな材料の高品質薄膜の成膜に最適です。当社のCVD炉は通常、優れた温度均一性を実現する複数の加熱ゾーン、堅牢な真空システム、正確な前駆体供給のための高度なマスフローガス制御ステーションを備えています。構成によっては、最高温度1600℃(KT-CTF16-60モデル)、真空度6x10 -5 Paの高真空オプションがあります。

主な利点と特徴

当社のCVD管状炉は、お客様の重要なプロセスに卓越した性能と信頼性を提供するよう設計されています:

  • 正確な温度制御と均一性 マルチゾーン加熱(例:KT-CTF16-60の3x300mm)と高度なPIDコントローラー(精度±1℃)により、安定した均一な温度プロファイルを実現。
  • 多彩な高温動作: 高温に達することができ(例えば、KT-CTF16-60の場合、最高1600℃の恒温1550℃)、さまざまなCVDプロセスや材料合成に適しています。
  • 高度なガス管理: マルチチャンネルマスフローコントローラー(MFC)システムは、高い直線性(±0.5%F.S.)と再現性(±0.2%F.S.)で、反応ガスの正確な混合と供給を可能にします。
  • 柔軟な真空と雰囲気能力: システムは、標準的なロータリーベーンポンプ(例:10Pa)から高真空分子ポンプステーション(例:6x10 -5 Pa)、または制御された不活性/反応性雰囲気下で動作します。
  • 耐久性のある構造: 高純度ファーネスチューブ(例:Al 2 O 3 )と高品質のチャンバー材料(アルミナ多結晶ファイバーなど)を使用し、長寿命とプロセスの完全性を実現。
  • ユーザーフレンドリーなインターフェース: デジタルPIDコントローラーまたはタッチスクリーンPIDコントローラーのオプションは、直感的な操作、データロギング、簡単なセットアップを提供します。
  • カスタマイズ可能な設計: チューブの直径や加熱ゾーンの長さから、ガスチャンネルや真空コンポーネントまで、お客様のニーズに合わせてカスタマイズできます。
  • コンパクトで効率的: 性能に妥協することなくスペース効率に優れた設計で、さまざまな研究室や産業環境に適しています。

技術仕様(例:モデルKT-CTF16-60)

以下の仕様はKT-CTF16-60のものです。仕様はお客様のご要望に応じてカスタマイズ可能です。

炉型 KT-CTF16-60
最高温度 1600℃
一定作業温度 1550℃
炉管材質 高純度Al2O3管
炉管の直径 60mm
加熱ゾーン 3x300mm
チャンバー材質 アルミナ多結晶ファイバー
発熱体 炭化ケイ素
加熱速度 0~10℃/分
熱電対 Sタイプ
温度コントローラー デジタルPIDコントローラー/タッチスクリーンPIDコントローラー
温度制御の正確さ ±1℃
ガス精密制御ユニット
流量計 MFCマスフローメーター
ガスチャンネル 3チャンネル(カスタマイズ可能)
流量(例) MFC1: 0-5SCCM O2
MFC2: 0-20SCCM CH4
MFC3: 0~100SCCM H2
MFC4:0〜500SCCM N2(カスタマイズ可能)
直線性 ±0.5% F.S.
繰り返し性 ±0.2% F.S.
配管およびバルブ ステンレス鋼
最高使用圧力 0.45MPa
流量計コントローラー デジタルノブコントローラー/タッチスクリーンコントローラー
標準真空ユニット(オプション)
真空ポンプ ロータリーベーン真空ポンプ
ポンプ流量 4L/S
真空吸引ポート KF25
真空計 ピラニ/抵抗シリコン真空計
定格真空圧 10Pa
高真空ユニット(オプション)
真空ポンプ ロータリーベーンポンプ+分子ポンプ
ポンプ流量 4L/S+110L/S
真空吸引ポート KF25
真空計 複合真空計
定格真空圧 6x10-5Pa
上記仕様およびセットアップはカスタマイズ可能です。

カスタマイズ可能なCVDシステム構成

KINTEK では、お客様の研究または生産のニーズに合わせて CVD 炉システムをカスタマイズすることを専門としています。カスタマイズ可能なセットアップの例をご覧ください:

ガス化炉と陽圧センサーを備えた分割型CVD炉
1.圧力センサー;2.圧力センサー;3.シラン;4.アセチレン;5.窒素;6.液体蒸気;7.バックアップガス;8.圧力計; (ガス化炉と圧力センサーを備えた分割型CVD炉)
流動床用縦型CVD炉
流動床用縦型CVD炉
サンプルホルダースライドレール付き1600℃CVD炉
サンプルホルダースライドレール付1600℃CVD炉
スライド反応管付き急速熱処理RTP CVD炉
スライド反応管付き急速熱処理(RTP)CVD炉
ミニCVD炉、エミッションモニターと焼成システム付き
エミッションモニターと焼成システムを装備したミニCVD炉

動作原理

化学気相成長法(CVD)は、加熱された基板上に気体の反応物質から固体材料を形成する多用途の薄膜形成技術です。KINTEK CVD管状炉では、基板は高純度の管(通常は石英またはアルミナ)の中に置かれ、正確に制御された温度に加熱されます。慎重に計量された前駆体ガスの混合物が、マスフロー制御システムを介して管内に導入されます。これらのガスは、高温の基板表面またはその近傍で反応または分解し、目的の薄膜が成膜される。主な操作面は以下の通り:

  • 高温環境: 炉は化学反応に必要な安定した高温ゾーンを形成する。
  • 制御されたガスフロー: マスフローコントローラー(MFC)により、プリカーサーガスおよびキャリアガスの正確で再現性のある供給が保証される。
  • 真空または制御された雰囲気: 真空システムは、不要な汚染物質や副生成物を除去し、または制御された雰囲気(不活性または反応性)を維持して成膜化学に影響を与えることができます。システムによっては、高周波(RF)グロー放電やその他のプラズマ増強技術を採用して、低温蒸着や高蒸着速度を実現することができます。
  • 均一な成膜: 加熱ゾーンとガスフローダイナミクスの入念な設計により、基板全体で均一な膜厚と組成を促進します。

このプロセスは、半導体、太陽電池、保護膜、ナノ材料、その他の高度な電子・光学デバイスの製造に広く使用されています。

幅広いアプリケーション

KINTEKマルチゾーンCVD管状炉は、さまざまな研究および産業分野で不可欠なツールです:

  • ナノ材料の合成: ナノ材料合成:ナノワイヤー、ナノチューブ(カーボンナノチューブなど)の成長、先端材料開発のためのナノフィルムの調製に最適です。
  • 先端コーティング技術: 金属膜、セラミック膜(酸化物、窒化物、炭化物)、複合膜を成膜し、硬度、耐食性、導電性などの表面特性を向上させるために広く利用されている。
  • 半導体およびエレクトロニクス: 集積回路、センサー、その他の電子部品の製造における絶縁層、半導体層、導電層の成膜に不可欠。
  • 電池材料加工: 高性能エネルギー貯蔵デバイス用の電池材料の乾燥、焼結、表面改質に適している。
  • 高温焼結とアニール: 高温雰囲気焼結、雰囲気還元、アニール処理により、材料の高密度化、高特性化を実現します。
  • 真空&雰囲気コーティング: 高い真空性能により、コーティングの純度と品質が最も重要な用途に最適です。
  • 研究開発 大学や科学研究機関において、CVD/CVI(化学気相浸透法)実験を含む材料科学の基礎研究に広く使用されています。
  • プラズマエンハンストプロセス: プラズマエンハンスドCVD(PECVD)、プラズマクリーニング、エッチングに対応可能で、機能的な汎用性が広がります。

標準パッケージ(KT-CTF16-60の例)

No. 内容 数量
1 温度制御付き炉本体 1
2 高純度アルミナまたは石英管(注文による) 1
3 ポート付き真空シールフランジ 2セット
4 チューブサーマルブロック/プラグ 2
5 チューブサーマルブロックフック 1
6 耐熱グローブ 1組
7 精密ガス制御ユニット(注文に応じてMFC) 1セット
8 真空ユニット(ポンプとゲージは注文による) 1セット
9 取扱説明書 1

オプションのセットアップとカスタマイズ

特定の実験ニーズを満たすさまざまなオプション機能により、CVD システムを強化できます:

  • 管内ガス検知およびモニタリングシステム(H2、O2 など)。
  • 独立したファーネス温度モニタリングおよびデータ記録モジュール
  • PCからの遠隔操作やデータ出力用のRS 485通信ポート
  • マスフローメーターとフロートフローメーターの異なるレンジを含む、多様なガス供給流量制御オプション
  • 多機能でオペレーターフレンドリーなタッチスクリーン温度コントローラー(プログラマブルランプ、データロギングなど)
  • ベーン真空ポンプ、分子ポンプ、拡散ポンプなどのオプションを組み込んだ、アップグレードされた高真空ポンプステーションのセットアップ。
  • 液体/固体プリカーサー供給システム(例:バブラー、気化器)。
  • 排気ガス除去システム

CVDソリューションならKINTEKにお任せください。

最先端のCVD管状炉で、研究または工業プロセスを向上させる準備はできていますか?KINTEKチームは、高温技術とカスタマイズの専門知識に裏打ちされた、お客様のアプリケーション要件に完璧に適合するシステムを提供することに専念しています。

お問い合わせ にお問い合わせください。お客様の材料成膜において比類のない結果を達成するお手伝いをいたします。

FAQ

管状炉とは何ですか?

管状炉は、熱源を通して熱を発生させ、その熱を炉管を通してワークまたは媒体に伝える加熱装置です。様々な工業用途に適した安定した均一加熱を実現します。温度制御システムは熱電対やその他のセンサーで炉の温度を監視し、その信号を制御装置にフィードバックして発熱体の出力を調整し、正確な温度制御を維持します。

マルチゾーン管状炉の主な用途は?

マルチゾーン管状炉は、半導体・電池製造、熱電対・鉱物絶縁ケーブル製造、真空ロウ付け・熱処理、真空硬化・焼結、水・廃棄物・土壌試験、航空宇宙セラミック・金属試験、石油・ガス分析、固体酸化物燃料電池、高分子複合材料・グラフェン製造など、様々な商業・研究用途で使用されています。また、金属の熱処理(焼き入れ、焼き戻し、焼きなまし)、溶接の予熱、セラミック/粉末冶金の焼結、コーティング処理、材料研究実験などにも使用されています。

CVD装置の原理は?

化学気相成長法(CVD)の原理は、膜成分やその他の必要なガスを含む気体または液体の反応物の蒸気を反応室に導入することである。温度上昇、プラズマ作用、光放射などのエネルギーを加えることで、基板表面で化学反応が起こり、新しい固体物質が生成され、薄膜として堆積する。CVD炉の動作原理は、炉室内に前駆体ガスを導入し、高温によってこれらのガスを基板表面付近で反応または分解させることである。目的の材料は固体膜として基板上に堆積し、副生成物や未使用のガスは排気または真空システムを通して排出されます。

縦型管状炉とは

縦型管状炉は垂直方向に設計された高温加熱装置で、正確な温度制御、均一な加熱、効率的なエネルギー使用を実現します。その縦型設計は省スペースで、特に縦型設置が有利なプロセスに役立ちます。

真空誘導炉とは

真空誘導炉は、誘導加熱技術を用いて真空環境で金属を溶解する特殊な加熱装置です。不純物を除去し、酸化や汚染を防止して溶融金属の品質を向上させるように設計されています。

真空炉の主な用途は?

真空炉は主に、所望の材料特性を得るための真空焼入れ(焼き戻し、焼きなまし)、母材の融点以下で溶接するための真空ろう付け、金属粉粒を部品に接合するための真空焼結、金属や磁性材料の処理に真空プラス磁気を利用するために使用されます。また、半導体デバイス、光学薄膜、機能性コーティング、ナノマテリアルなどの分野でも広く使用されており、材料調製や機能向上のための重要な技術サポートとなっている。

PECVD装置は何に使用されますか?

PECVD(プラズマ・エンハンスト・ケミカル・ベーパー・デポジション)装置は、シリコンやそれに類する材料の加工、ナノテクノロジー、太陽電池製造、エレクトロニクス分野で幅広く使用されている。太陽電池の薄膜を成膜し、電子デバイスの高品質コンポーネントを作成するために不可欠です。アプリケーションには、電子デバイス製造(導電層の分離、コンデンサー、表面パッシベーション)、半導体デバイス、プリンタブルエレクトロニクス、医療機器保護などが含まれます。

雰囲気炉の用途は?

雰囲気炉は、材料加工、金属加工、半導体製造、太陽電池製造、光学材料、セラミックス・ガラス工業、電子材料製造、新エネルギー材料の研究開発などに広く使用されています。

管状炉の主な用途は?

管状炉は真空または大気条件下でのガス急冷試験、合成や精製を含む熱処理用途、無機または有機化合物の酸化、拡散、脱炭酸、熱アニールなどに広く使用されています。また、加熱・冷却速度の制御が必要な材料試験、熱処理、化学反応にも使用されます。縦型管状炉は、試料を炉の上部から投入するプロセスに特に適しています。

マルチゾーン管状炉の主な特徴は?

主な特徴は以下の通りです:1) 柔軟なアニーリングおよび化学蒸着機能、2) 最大60mm (2インチ) までの試料の収容、3) ガス供給が容易な内蔵マニホールド、4) 端部が低温で中央部が均一加熱の自然な温度勾配、5) 様々なガスまたは真空条件への適応性、6) 正確な温度プロファイルのための複数の独立制御加熱ゾーン。

CVD装置を使用する利点は何ですか?

CVDは、高い純度、均一性、適合性を提供するため、複雑な形状のコーティングに適しています。半導体、航空宇宙、生物医学などの産業で使用されています。PVDとは異なり、CVDは直視下での塗布に限定されず、反応中にコーティングが表面に結合するため、優れた密着性が得られます。

竪型管状炉の用途は?

縦型管状炉は、加熱・冷却速度の制御を必要とする材料試験、熱処理、化学反応に広く使用されています。また化学工学では合成樹脂、ゴム、塗料、染料の製造に、食品工業では焼成、乾燥、殺菌に、冶金では製錬、溶解、熱処理プロセスに使用されます。

真空誘導炉の主な用途は?

真空誘導炉は航空宇宙、冶金、材料研究などの産業で、金属や合金の溶解、焼結、熱処理、ろう付けなどのプロセスに広く使用されています。特に高純度金属や先端材料の製造に有用である。

真空炉の主な特徴は?

真空炉は、主に金属などの材料を超高温で、低汚染かつ高い均一性で加熱します。材料は垂直または水平に装入できます。真空炉には冷却媒体、装入物のサイズ、温度、圧力に応じてバッチ式と連続式があります。真空炉にはホットウォール型とコールドウォール型があり、コールドウォール型は動作温度範囲が広く、加熱・冷却が速く、温度均一性が高いのが特徴です。

PECVD装置の主な種類は?

PECVD装置には、傾斜回転プラズマエンハンスト化学蒸着PECVD管状炉装置、真空ステーション付きスプリットチャンバーCVD管状炉、RF PECVDシステム、円筒形共振器MPCVD装置システムなど、さまざまなタイプがあります。それぞれのタイプは、半導体研究、薄膜蒸着、ラボ用ダイヤモンド成長などの特定の用途向けに設計されています。

雰囲気炉の主な特徴は?

雰囲気ボックス炉の主な特徴は、不活性ガス(窒素、アルゴンなど)、還元性ガス(水素など)、真空条件などの特定のガス環境を維持し、加熱中の酸化や汚染、不要な化学反応を防止できることです。炉は通常、高温耐性のボックスチャンバー、発熱体、ガス供給システムから構成される。高度な機種では、プログラム可能な温度制御装置、均一な加熱ゾーン、操作の信頼性を確保する安全インターロックが装備されることもあります。

管状炉を使用する利点は?

管状炉には、成熟した技術、シンプルな炉構造、低い消費電力、高い熱効率、容易な操作と制御、連続生産能力、精密な温度制御、均一な温度分布、異なる雰囲気への適応性などの利点があります。また、製品の歩留まりが高く、製品濃度が高く、分解ガスや排ガスをほとんど回収できる。複数の炉を組み合わせて大規模生産も可能です。

マルチゾーン管状炉の仕組み

マルチゾーン管状炉の機能1) 独立制御された複数の発熱体を通して熱を発生させ、2) この熱を炉管を通してワークピースに均一に伝達し、3) 正確な温度勾配 (CVD 膜成長のようなプロセスの場合) または拡張された恒温ゾーン (複数のゾーンを同じ温度に設定した場合) を形成し、4) 様々な工業プロセスに適した安定した加熱条件を維持します。

CVD装置の用途は?

CVDは、半導体デバイスの製造(窒化ケイ素絶縁層など)、光学コーティング、保護コーティング、独自の電気的、熱的、機械的特性を持つグラフェンやカーボンナノチューブのような先端材料など、さまざまな用途で使用されています。また、従来の技術では不可能だったコンフォーマル膜の成膜や基板表面の改質にも使用される。原子層蒸着、集積回路、光起電力デバイス、耐摩耗性コーティング、特殊特性を持つポリマーコーティング、ガス検知用有機金属骨格、水処理用膜コーティングなどの用途がある。

縦型管状炉の利点は?

竪型管状炉は横型炉に比べて設置面積が小さいため、スペースの限られた研究室に最適です。また、効率的で省エネルギーな運転、精密な温度制御、柔軟な使用方法、操作の容易さ、安全性、信頼性、環境基準への適合も実現します。

真空誘導炉の仕組み

炉はチャンバー内を真空にして空気やガスを除去し、酸化を防ぎます。その後、誘導加熱によって金属を溶かします。この真空と誘導加熱の組み合わせにより、高品質な金属加工のためのクリーンで制御された環境が保証されます。

真空炉の仕組み

真空炉の作動原理は、チャンバー内の空気やガスを除去して真空状態にし、酸化や汚染を防止することです。発熱体が熱を発生し、温度制御システムが加熱プロセスを調節して、正確で一貫した結果を確保します。真空システムは炉室内を排気して真空状態にし、発熱体が炉室内を加熱し、温度制御システムが加熱速度と保持時間を調整することで、真空条件下での材料の加熱を可能にします。

PECVD装置の仕組み

PECVD装置は、化学蒸着プロセスを強化するためにプラズマを使用します。成膜速度や膜特性(膜厚、硬度、屈折率など)は、ガス流量、動作温度、プラズマ条件などのパラメーターを調整することで制御します。プラズマによって密度、純度、粗さなどの材料特性を微調整できるため、より低い基板温度で高品質の薄膜を作ることができる。

雰囲気炉の仕組み

管状炉は熱源を通して熱を発生させ、その熱を炉管を通して被加熱物または媒体に伝えます。このプロセスは様々な工業用途に適した安定した均一加熱を実現します。焼結の原理は、材料を融点以下の高温に加熱して粒子を結合させ、固体構造を形成させます。熱と場合によっては圧力が加えられて材料が圧縮・高密度化され、機械的・物理的特性が向上します。

管状炉にはどのようなタイプがありますか?

管状炉には、ラボ用石英管状炉、分割型マルチヒーティングゾーン回転式管状炉、マルチゾーン管状炉、高温管状炉(最高1700℃)、薄膜蒸着用PECVD管状炉、真空管状炉、縦型管状炉など、さまざまなタイプがあります。これらには、急速加熱、傾斜調整、360°回転、カスタマイズ可能な加熱ゾーン、真空対応など、さまざまな用途に適した機能が装備されています。

マルチゾーン管状炉を使用する利点は何ですか?

利点は以下の通りです:1)シンプルな炉構造による成熟した信頼性の高い技術、2)高い熱効率による低消費電力、3)容易な操作と精密な制御、4)連続生産能力、5)均一加熱ゾーンの拡大または精密な温度勾配の形成能力、6)化学プロセスにおける製品収率の向上、7)プロセスガスの回収能力、8)幅広い原料適用性、9) 炉の組み合わせによる大規模生産への拡張性。

CVD装置の主な特徴は?

CVD炉の主な特徴には、高温能力(通常200℃から1500℃以上)、精密なガス流量制御、雰囲気制御(真空、大気圧、低圧環境)、均一な薄膜成膜のための均一加熱、副生成物や未反応ガスを除去する効率的な排気システムなどがあります。CVDコーティングプロセスの主な特徴として、反応を促進するための高温での塗布があり、通常は真空下で行われる。コーティング前に、部品表面から汚染物質を除去する必要があります。

竪型管状炉の仕組み

縦型管状炉は熱源から熱を発生させ、その熱を炉管を介して被加熱物または媒体に伝えます。このプロセスは安定した均一加熱を保証し、様々な工業用途に適しています。

真空誘導炉を使用する利点は何ですか?

主な利点は以下の通りです:1.酸素や反応性ガスがないため、コンタミのない加工が可能。2.正確な温度制御による安定した結果3.様々な材料やプロセスに対応できる汎用性。4.熱損失を最小限に抑えた高効率5.不純物の除去による製品品質の向上

真空炉を使用する利点は?

真空炉の利点には、小面積での精密な温度制御、炭素、酸素、その他のガスによる製品の低汚染、製品の急速冷却(急冷)、冶金学的再現性を確保するためのコンピューター制御プロセスなどがあります。さらに、真空炉は高純度の処理環境を提供し、雰囲気調整が不要なため処理速度が速く、大気の影響を受けないため処理プロセスの制御性が高い。

PECVD装置の主な特徴は何ですか?

PECVD装置の主な機能には、電子サブシステムを搭載したユニバーサル・ベース・コンソール、排気ポートを備えたPECVDプロセス・チャンバー、加熱された上部電極と下部電極、パラメーター・ランピング・ソフトウェア、マスフロー制御ガスラインを備えたガスポッドなどがあります。システムには通常、チャンバー、真空ポンプ、ガス供給システムが含まれ、電源、ガスの種類、圧力センサーによって構成が異なります。

雰囲気炉を使用する利点は?

雰囲気炉の利点は、雰囲気成分の調整による強力な環境制御能力、真空炉に比べて低コスト、金属やセラミックスなど様々な材料に適した幅広い応用範囲などが挙げられます。また、精密な温度制御、フレキシブルな雰囲気制御、高い加熱効率、省エネルギーと環境保護、安全で信頼性の高い操業、幅広い適用範囲、合理的な構造設計などが挙げられます。

管状炉はどのような温度範囲を達成できますか?

管状炉には様々な用途に適した温度範囲があります。標準型は通常1200°Cまで、高温型は1400°Cから1700°Cまで達します。特殊な機種では最高 2000°Cに達するものもあります。温度能力は使用される発熱体や炉管の材質 (石英やアルミナなど) によって異なります。

マルチゾーン管状炉にはどのようなタイプがありますか?

利用可能なタイプには以下のものがあります:1) 分割式多加熱ゾーン回転式管状炉 (傾斜および回転機能付き)、2) ラボ用石英管状炉 (最高温度1700℃、1~10ゾーン)、3) 高速加熱の急速熱処理 (RTP) 炉、4) 化学蒸着用CVD管状炉、5) プラズマ強化プロセス用PECVD炉、6) 真空管状炉、7) 高圧管状炉。これらはゾーン数、温度範囲、真空/大気制御のような特殊機能をカスタマイズできる多様な構成で提供されます。

どのようなタイプのCVD装置がありますか?

CVD装置には、ラボ用ダイヤモンド成長用の円筒形共振器MPCVD装置システム、化学蒸着用の特注多用途CVD管状炉、液体ガス化装置付きスライドPECVD管状炉、真空ホットプレス炉装置、傾斜回転プラズマエンハンスト化学蒸着(PECVD)管状炉、真空ステーション付きスプリットチャンバーCVD管状炉、高周波プラズマエンハンスト化学蒸着用のRF PECVDシステムなど、いくつかのタイプがあります。それぞれのタイプは特定の用途向けに設計されており、独自の機能を備えています。

どのようなタイプの縦型管状炉がありますか?

縦型管状炉には様々なタイプがあり、単一または複数の加熱ゾーン、急速熱処理 (RTP) 機能、真空ステーション、CVD (Chemical Vapor Deposition) や PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) などの特定のラボニーズに対応するカスタマイズ可能なソリューションなどがあります。

真空誘導炉にはどのようなタイプがありますか?

真空誘導炉にはバッチ式、連続式、ホットウォール式、コールドウォール式など様々な設計があります。また、冷却媒体、装入物サイズ、要求温度、圧力条件に基づき、特定の工業または研究ニーズに合わせてカスタマイズすることも可能です。

真空炉で処理できる材料の種類は?

真空炉は主に焼結、焼鈍、ロウ付けなどの金属加工に使用されます。また、セラミック、複合材料、その他の先端材料、特に半導体デバイス、光学薄膜、ナノ材料など、高純度で精密な温度制御を必要とする用途にも適しています。

PECVD装置を使用する利点は何ですか?

PECVD装置には、迅速な成膜速度(例えば、窒化シリコンはCVDの160倍の速度)、プラズマパラメータとガス組成の調整による特性の異なる膜の作成能力、高品質で均一な膜厚、良好な密着性、クラックのリスクの低減、複雑な表面への適合性などの利点があります。また、高い耐溶剤性と耐腐食性、化学的・熱的安定性も備えています。

雰囲気炉で使用できるガスの種類は?

雰囲気炉は、不活性ガス (窒素、アルゴンなど)、還元性ガス (水素など)、真空状態など特定のガス環境を維持し、加熱中の酸化、汚染、不要な化学反応を防止します。

管状炉は異なる雰囲気下で運転できますか?

管状炉は多用途で、空気、不活性ガス (アルゴンや窒素など)、真空、特殊混合ガスなど様々な雰囲気下で作動します。そのため、酸化、還元、アニール、化学蒸着 (CVD) などの幅広いプロセスに適しています。多くの機種には真空対応設計と精密な雰囲気管理のためのガス制御システムが装備されています。

横型管状炉ではなく縦型管状炉を選ぶ理由

縦型管状炉が横型炉より選択されるのは、主にその省スペース設計と重力アシストプロセスの利点のためです。縦型は熱と材料の均一な分布が可能で、特定の実験や製造工程に最適です。

なぜ真空誘導炉では温度制御が重要なのですか?

正確な温度制御は、均一な加熱を確保し、材料の劣化を防ぎ、溶融、焼結、熱処理などのプロセスで一貫した結果を得るために極めて重要です。これらの炉の高度な制御システムは、プロセス全体を通じて正確な温度を維持します。

ホットウォール式真空炉とコールドウォール式真空炉の違いは何ですか?

ホットウォール型真空炉は真空チャンバー内に発熱体と断熱材があり、コールドウォール型真空炉はこれらの部品がチャンバー外にあります。コールドウォール炉はホットウォール炉に比べ、動作温度範囲が広く、加熱・冷却が速く、温度均一性が高いのが特徴です。

PECVD装置で成膜できる材料は?

PECVD装置は、窒化ケイ素(SiN)や炭化ケイ素(SiC)など、半導体や高温MEMS用途で特に有用なさまざまな材料を成膜できます。これらの装置は汎用性があり、特定の産業や研究のニーズに合わせて特性を調整した薄膜を作成するために使用することができます。

高度な雰囲気炉にはどのような安全機能がありますか?

高度な雰囲気炉には、プログラム可能な温度制御装置、均一な加熱ゾーン、操作の信頼性を確保する安全インターロックなどがあります。プログラム制御式雰囲気炉には、炉温度や酸素含有量などの重要パラメーターを監視する保護システムが装備されています。異常が発生した場合、システムは自動的にシャットダウンまたはアラームを作動させ、炉と炉内の試料を保護します。

KINTEK管状炉の特徴は?

KINTEK の管状炉は、精密な温度制御 (最高 100°C/秒の急速加熱が可能な機種もあります)、カスタマイズ可能な加熱ゾーン (1 ゾーンから 10 ゾーンまで)、真空対応設計、および安全認証で際立っています。また、材料合成、CVD、焼結、半導体研究などの高度な用途向けに、回転機構、スプリットチャンバー、プラズマエンハンスド構成などのオプションを備えた汎用性の高いソリューションを提供しています。

縦型管状炉はどのような温度範囲を達成できますか?

竪型管状炉は、機種や構成にもよりますが、通常1800℃までの高温を達成できます。精密加熱用に設計され、様々な用途の特定温度要求に対応するようカスタマイズが可能です。

真空誘導炉で処理できる材料は?

真空誘導炉は金属、合金、セラミック、複合材料を含む幅広い材料を処理することができます。特にチタン、ニッケル基合金、希土類金属など、高純度が要求される材料や酸化に敏感な材料に効果的です。

真空炉は特定の用途に合わせてカスタマイズできますか?

真空炉は冷却媒体、装入物サイズ、温度、圧力要求に基づいてカスタマイズできます。バッチ式または連続式に設計でき、焼結、ろう付け、熱処理など特定の用途に合わせることができ、垂直または水平装入のオプションもあります。

なぜPECVDが他の成膜方法よりも好まれるのですか?

PECVDは、より低い基板温度での成膜が可能で、良好なステップカバレッジを提供し、非常に均一な成膜を可能にするため、他の成膜方法よりも好まれます。また、屈折率、応力、硬度などの材料特性の制御にも優れているため、精密な薄膜特性を必要とする用途に最適です。

縦型管状炉はカスタマイズ可能ですか?

縦型管状炉は高度なカスタマイズが可能です。複数の加熱ゾーン、急速加熱機能、真空システム、特殊な雰囲気制御など、様々な研究用途や工業用途の独自のニーズに対応するための機能を装備することができます。

真空環境は材料加工にどのようなメリットをもたらしますか?

真空環境は酸素やその他の反応性ガスを排除し、材料の酸化や汚染を防ぎます。また、処理雰囲気の制御が向上し、熱損失が減少するため、材料を劣化させることなく高温処理が可能になります。
この製品に関するよくある質問をもっと見る

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Incredible precision and durability! This CVD furnace exceeded all expectations. Worth every penny!

Elara Voss

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Fast delivery and top-notch quality. The machine works flawlessly—highly recommend!

Kaito Nakamura

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A game-changer for our lab! The versatility and performance are unmatched.

Anika Patel

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out of

5

Exceptional craftsmanship and advanced technology. Perfect for high-precision tasks.

Lucien Dubois

4.8

out of

5

Superb value for money. The machine is robust and delivers consistent results.

Zara Al-Mansoor

4.7

out of

5

Impressive speed and efficiency. This CVD furnace is a must-have for any serious researcher.

Rafael Silva

4.9

out of

5

Outstanding performance! The custom features make it stand out from the competition.

Mei Ling

4.8

out of

5

Reliable and high-quality. The machine arrived sooner than expected—very pleased!

Dmitri Volkov

4.7

out of

5

Perfect for our research needs. The CVD furnace is both powerful and user-friendly.

Sienna Brooks

4.9

out of

5

Top-tier technology at an affordable price. Couldn’t be happier with this purchase!

Javier Mendoza

4.8

out of

5

The machine is a beast! Handles everything we throw at it with ease.

Nia Johnson

4.7

out of

5

Fantastic investment. The CVD furnace has significantly boosted our productivity.

Arjun Kapoor

4.9

out of

5

Absolutely love it! The build quality and performance are second to none.

Freya Olsen

4.8

out of

5

Quick setup and flawless operation. This machine is a dream come true for our team.

Mateo Rossi

4.7

out of

5

Highly efficient and reliable. The CVD furnace has transformed our workflow.

Yara Hassan

4.9

out of

5

Exceptional value and performance. This machine is a true workhorse.

Leo Chen

4.8

out of

5

The best CVD furnace we’ve used. Delivers consistent, high-quality results every time.

Isla MacKenzie

4.7

out of

5

Impressive build and advanced features. A fantastic addition to our lab.

Hugo Moreau

4.9

out of

5

Worth every cent! The machine is durable, efficient, and incredibly versatile.

Aisha Bello

4.8

out of

5

Fast shipping and excellent customer service. The CVD furnace is a masterpiece!

Ethan Zhang

製品

カスタムメイド万能CVD管状炉化学蒸着CVD装置マシン

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Cvd & Pecvd Furnace

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