縦型管状炉は、研究および工業用途における精密で均一な熱処理用に設計された特殊な加熱システムです。垂直配置、カスタマイズ可能な構成、高度な制御システムにより、制御された雰囲気、高温、安定した熱分布を必要とするプロセスに最適です。主な特徴としては、1800℃までの温度範囲、耐久性のある構造、真空またはガス環境との互換性などがあり、材料合成や化学気相成長などの多様なアプリケーションに対応しています。
キーポイントの説明
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縦型
- 縦型炉は床面積を最小限に抑え、重力を利用したサンプルの出し入れが可能です。
- 均一なガス分布が促進され、コンタミネーションのリスクが低減されるため、ガスフローや蒸着が必要なプロセスには特に有効です。
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温度範囲と発熱体
- 最高温度は1200°Cから1800°Cで、カンタル(低い温度範囲用)、SiC、MoSi2(高い温度範囲用)などの発熱体によって達成されます。
- マルチゾーン構成により、結晶成長やアニールなどの用途に不可欠な、チューブ長さに沿った正確な勾配制御が可能です。
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均一な加熱と熱伝達
- 発熱体がチューブを取り囲み、均一な熱分布を確保します。これは反射断熱材によって強化されます。
- 横型炉に比べ、縦型炉は対流によるホットスポットが減少するため、温度均一性が向上します。
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カスタマイズ可能な寸法
- 標準チューブ径は50mmから120mmで、ホットゾーンは300mmまたは600mm(900mmまで拡張可能)。
- 特注の長さと直径は、以下のような大型試料やバッチ処理に対応します。 雰囲気レトルト炉 雰囲気制御熱処理用
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雰囲気制御
- シールされたエンドキャップを介して真空(10^-5 torrまで)またはガス環境(例えば、N₂、Ar)をサポート。
- ガス混合システムは、酸化/還元研究またはCVDに不可欠な正確な大気組成を可能にする。
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耐久性のある構造
- ステンレススチールの外装とアルミナまたは石英のチューブは、長寿命と熱ストレスへの耐性を保証します。
- コンパクトな卓上型デザインは、堅牢性を損なうことなく、ラボのワークフローに簡単に統合できます。
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高度な制御システム
- ソフトウェア互換性のあるプログラマブルコントローラーは、自動温度ランプ、ホールド、データロギングを可能にします。
- PIDチューニングなどの機能により、温度変動を最小限に抑えます(標準±1℃)。
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用途
- 材料合成(ナノチューブなど)、熱分解、半導体プロセスに最適。
- 垂直配向は、粒子の沈降や気相反応を最小限に抑える必要があるプロセスに有利です。
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エネルギー効率
- 誘導加熱方式(該当する場合)は、管と試料を直接加熱することで熱損失を低減し、エネルギー利用を改善します。
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安全性と互換性
- クイックリリース機構付きのエンドキャップは、サンプルの安全な取り扱いを容易にします。
- 水冷式フランジなどのオプションは高温操作の安全性を高めます。
このような特性により、縦型管状炉は高精度の熱処理を行うための多用途ツールとなっており、性能と多様な実験ニーズへの適応性のバランスが取られています。
総括表
特徴 | 詳細 |
---|---|
方向 | スペース効率と均一なガス分布のための縦型デザイン。 |
温度範囲 | 1200°C~1800°C、マルチゾーン勾配制御付き。 |
発熱体 | カンタル、SiC、またはMoSi2が最適な性能を発揮します。 |
均一な加熱 | 反射断熱による均一な熱分布 |
カスタマイズ可能な寸法 | チューブ径(50mm-120mm)およびホットゾーン(300mm-900mm)。 |
雰囲気制御 | 真空(10^-5 torr)またはガス環境(N₂、Ar)に対応。 |
耐久性のある構造 | ステンレススチール外装、アルミナ/石英チューブ。 |
制御システム | プログラマブルPIDコントローラ(精度±1℃)。 |
用途 | 材料合成、CVD、熱分解、半導体プロセス |
エネルギー効率 | 誘導加熱オプションは熱損失を低減します。 |
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