ガスは 3ゾーン管状炉 は、特定の用途要求に応じて大気圧または亜大気圧で使用できます。この炉はアニールや化学蒸着 (CVD) を含む柔軟なプロセス用に設計されており、1000°C以下の温度に対応します。安全対策と精密な制御機能により、この圧力条件下での信頼性の高い運転が保証されます。
ポイントを解説
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ガス導入の圧力範囲
- ガスは 大気圧 (標準状態）または 大気圧以下 (真空または減圧）。
- CVDのようなプロセスでは、不要な反応を最小限に抑えたり、成膜の均一性を高めたりするために、大気圧以下の条件が用いられることが多い。
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設計と柔軟性
- 3ゾーン管状炉 3ゾーン管状炉 は、アニールおよびCVD用に最適化されており、3つのゾーンで独立した温度制御により均一な加熱が可能です。
- 最大60mmまでのサンプルに対応し、制御された供給用のガスマニホールドを備えています。
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温度と安全性
- 動作温度は通常1000℃以下だが、モデルによってはそれ以上の温度範囲に対応するものもある。
- 過熱保護や過圧保護などの安全機能により、ガス圧が変化しても安定した運転が可能です。
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プロセス固有の調整
- CVDの場合、ガス拡散と反応速度論を高めるために、大気圧以下の圧力が好まれる場合がある。
- アニーリングは、材料の要求によっては、簡便化のために大気圧を使用することもある。
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真空システムとの統合
- 大気圧以下の圧力が必要な場合、炉は真空ポンプシステムと組み合わせることができます。
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オペレーターの安全
- 異なる圧力のガスを取り扱う際には、適切な換気とPPE（耐熱手袋、安全眼鏡など）が不可欠です。
- 緊急停止手順は明確に理解されるべきである。
この柔軟性により 3ゾーン管状炉 材料研究から半導体プロセスまで、多様な用途に適しています。圧力パラメータを調整することで、特定のプロセス目標に沿うことができますか？
要約表
| 特徴 | 詳細 |
|---|---|
| 圧力範囲 | 大気圧または亜大気圧（真空/減圧） |
| 主な用途 | アニール、CVD、材料研究、半導体プロセス |
| 温度範囲 | 通常1000℃以下（一部のモデルはそれ以上に対応） |
| 安全対策 | 過熱/過圧保護、緊急シャットダウンプロトコル |
| 統合オプション | サブアトモスフェリックプロセス用真空ポンプシステムに対応 |
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