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CVD管状炉が、半導体アプリケーションのための正確な温度、ガスフロー、材料の最適化を通じて、どのように超高純度ゲートメディアを確保するかをご覧ください。
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焼結炉の温度は材料によって異なります。金属、セラミックスなどの具体的な範囲を、1100℃から2200℃以上までご紹介します。
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高温管状炉で金属カリウムを生成し、超高比表面積を達成するために、1000℃とKOHがなぜ重要なのかを学びましょう。
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効率的な材料処理とより良い制御のために、本体、ライニング、駆動システム、加熱システムを含む回転炉の主要コンポーネントについて学びましょう。
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回転キルン炉における効率的な熱伝達が、粉末や粒状物質の均一な加熱、連続処理、高純度をどのように保証するかを学びましょう。
ロータリーチューブ炉における材料への酸化の影響と、最適な熱処理のために不活性ガスや空気を用いた制御戦略について学びましょう。
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正確で均一な材料処理のために、回転チューブ、加熱システム、制御システムなど、ロータリーチューブ炉の主要コンポーネントについて学びましょう。
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